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74HCT03DB

Quad 2-input NAND gate; open-drain output

74HC03;74HCT03是带开漏输出的四路2输入与非门。输入包括钳位二极管,其能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 输入电平:
    • 对于74HC03:CMOS电平
    • 对于74HCT03:TTL电平
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F超过2000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • 多种封装选择
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

参数类型

型号 Product status Package name
74HCT03DB End of life SSOP14

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74HCT03DB 74HCT03DB,112
(935173760112)
Obsolete HCT03 SOT337-1
SSOP14
(SOT337-1)
SOT337-1 SSOP-TSSOP-VSO-REFLOW
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE
Not available
74HCT03DB,118
(935173760118)
Obsolete HCT03 SOT337-1_118

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74HCT03DB 74HCT03DB,112 74HCT03DB rohs rhf rhf
74HCT03DB 74HCT03DB,118 74HCT03DB rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (8)

文件名称 标题 类型 日期
74HC_HCT03 Quad 2-input NAND gate; open-drain output Data sheet 2024-02-16
AN11044 Pin FMEA 74HC/74HCT family Application note 2019-01-09
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SSOP14_SOT337-1_mk plastic, shrink small outline package; 14 leads; 0.65 mm pitch; 6.2 mm x 5.3 mm x 2 mm body Marcom graphics 2017-01-28
SOT337-1 plastic, shrink small outline package; 14 leads; 0.65 mm pitch; 6.2 mm x 5.3 mm x 2 mm body Package information 2020-04-21
SSOP-TSSOP-VSO-REFLOW Footprint for reflow soldering Reflow soldering 2009-10-08
HCT_USER_GUIDE HC/T User Guide User manual 1997-10-31
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE Footprint for wave soldering Wave soldering 2009-10-08

支持

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模型

No documents available

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.