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Click here for more information74LVC1G10GF
Single 3-input NAND gate
74LVC1G10提供一个低功耗、低电压的单路3输入与非门。
输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中使用该器件。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。
该器件完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
Alternatives
Features and benefits
- 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-7(1.65 V至1.95 V)
- JESD8-5(2.3 V至2.7 V)
- JESD8-B/JESD36(2.7 V至3.6 V)。
- ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
- CMOS低功耗
- 闭锁性能超过250 mA
- 具有TTL电平的直接接口
- 输入可接受高达5 V的电压
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过2000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 多种封装选择
- 额定温度范围为–40 °C至+85 °C和–40 °C至+125 °C
参数类型
型号 | Product status | Package name |
---|---|---|
74LVC1G10GF | End of life | XSON6 |
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
Model Name | 描述 |
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|
封装
下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。
型号 | 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) | 状态 | 标示 | 封装 | 外形图 | 回流焊/波峰焊 | 包装 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
74LVC1G10GF | 74LVC1G10GF,132 (935284945132) |
Obsolete | no package information |
Series
支持
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模型
文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
---|---|---|---|
lvc1g10 | 74LVC1G10 IBIS model | IBIS model | 2014-10-20 |
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
Model Name | 描述 |
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How does it work?
The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.