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74HCT153DB

Dual 4-input multiplexer

74HC153;74HCT153是双路4输入多路复用器。该器件具有独立的使能输入(nE)和公共数据选择输入(S0和S1)。对于每个多路复用器,选择输入选择四个二进制输入之一并将其路由到多路复用器输出(nY)。E上的高电平将对应的多路复用器输出强制为低电平。输入包括钳位二极管。其能使用限流电阻将输入连接到高于VCC的电压。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 输入电平:
    • 对于74HC153:CMOS电平
    • 对于74HCT153:TTL电平
  • 非反相输出
  • 针对每个输出的单独使能输入
  • 一般穿选输入
  • 符合JEDEC标准no. 7A
  • 允许从n个线路到1个线路的多路复用
  • 提供使能线路以实现级联(n个线路到1个线路)
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F超过2000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • 多种封装选择
  • 额定温度范围为-40 °C到+85 °C和-40 °C到+125 °C

参数类型

型号 Product status Package name
74HCT153DB End of life SSOP16

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74HCT153DB 74HCT153DB,112
(935189230112)
Obsolete HCT153 SOT338-1
SSOP16
(SOT338-1)
SOT338-1 SSOP-TSSOP-VSO-REFLOW
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE
Not available
74HCT153DB,118
(935189230118)
Obsolete HCT153 Not available

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74HCT153DB 74HCT153DB,112 74HCT153DB rohs rhf rhf
74HCT153DB 74HCT153DB,118 74HCT153DB rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (8)

文件名称 标题 类型 日期
AN11044 Pin FMEA 74HC/74HCT family Application note 2019-01-09
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SSOP16_SOT338-1_mk plastic, shrink small outline package; 16 leads; 0.65 mm pitch; 6.2 mm x 5.3 mm x 2 mm body Marcom graphics 2017-01-28
SSOP-TSSOP-VSO-REFLOW Footprint for reflow soldering Reflow soldering 2009-10-08
HCT_USER_GUIDE HC/T User Guide User manual 1997-10-31
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE Footprint for wave soldering Wave soldering 2009-10-08

支持

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模型

No documents available

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.