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74HC173DB

74HC/1是高速硅栅CMOS器件并且与低功耗肖特基TTL(LSTTL)引脚兼容。它们符合JEDEC标准No. 7A。

74HC/HCT173是带时钟使能控制、三态缓冲输出(Q0至Q3)和主复位(MR)的4位并行加载寄存器。

两个数据使能输入(E1和E2)为低电平时,随着时钟(CP)从低到高转换,Dn输入上的数据会被同步加载入寄存器。如果在时钟从低到高转换前的某个建立时间,一个或两个En输入都为高电平,则该寄存器会保留之前的数据。数据输入和时钟使能输入为完全边沿触发,在从低到高转换前的某个建立时间,必须保持稳定。

主复位输入(MR)是有源高电平异步输入。MR为高电平时,所有四个触发器会被复位(清零),不受任何其他输入条件的影响。

三态输出缓冲器由一个2输入或非门控制。输出使能输入(OE1和OE2)都为低电平时,寄存器内的数据会被提供给Qn 输出。一个或两个OEn输入为高电平时,输出会被强制进入高阻抗关断状态。三态输出缓冲器完全不受寄存器操作的影响;OEn转换不会影响时钟和复位操作。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 保持(不执行任何操作)模式的门控输入使能
  • 门控输出使能控制
  • 边沿触发D类寄存器
  • 异步主复位
  • 输出能力:总线驱动器
  • ICC类别:MSI

Applications

  • 高速光盘或磁带控制器
  • 通信缓冲器。

参数类型

型号 Product status Package name
74HC173DB End of life SSOP16

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74HC173DB 74HC173DB,112
(935189250112)
Obsolete HC173 SOT338-1
SSOP16
(SOT338-1)
SOT338-1 SSOP-TSSOP-VSO-REFLOW
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE
Not available
74HC173DB,118
(935189250118)
Obsolete HC173 Not available

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74HC173DB 74HC173DB,112 74HC173DB rohs rhf rhf
74HC173DB 74HC173DB,118 74HC173DB rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (9)

文件名称 标题 类型 日期
74HC_HCT173 Quad D-type flip-flop; positive-edge trigger; 3-state Data sheet 2024-01-15
AN11044 Pin FMEA 74HC/74HCT family Application note 2019-01-09
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SSOP16_SOT338-1_mk plastic, shrink small outline package; 16 leads; 0.65 mm pitch; 6.2 mm x 5.3 mm x 2 mm body Marcom graphics 2017-01-28
SSOP-TSSOP-VSO-REFLOW Footprint for reflow soldering Reflow soldering 2009-10-08
HCT_USER_GUIDE HC/T User Guide User manual 1997-10-31
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE Footprint for wave soldering Wave soldering 2009-10-08

支持

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模型

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PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.