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74AVC16245DGG-Q100

16-bit transceiver with direction pin; 3.6 V tolerant; 3-state

74AVC16245-Q100是16位收发器,在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。该器件具有两个可实现轻松级联的输出使能输入(OE)以及两个用于方向控制的发送/接收输入(nDIR)。输入nOE控制输出,从而能够有效隔离总线。该器件可用作两个8位收发器或一个16位收发器。

74AVC16245-Q100具有极快的传播延迟且功耗最小。

要确保上电或掉电过程中的高阻抗输出状态,则将上拉电阻(带电插拔)中的引脚nOE连接至VCC

实施动态控制输出(DCO)电路可支持瞬变期间的终端线路驱动。

该产品已通过汽车电子委员会(AEC)标准Q100(3级)认证,适用于汽车应用。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 通过AEC-Q100(3级)认证的汽车级产品
    • 额定温度范围:-40 °C至+85 °C
  • 宽电源电压范围:1.2 V至3.6 V
  • 符合JEDEC标准:
    • JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
    • JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
    • JESD8-1A(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保护:
    • MIL-STD-883,方法3015超过2000 V
    • HBM JESD22-A114F超过2000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V(C = 200 pF,R = 0 Ω)
  • CMOS低功耗
  • 输入/输出容压最高为3.6 V
  • 动态控制输出(DCO)电路可以动态更改输出阻抗,从而在不使速度降级的情况下降低噪声
  • 低电感的多VCC和GND引脚,用于最大程度减少噪声和地弹
  • 支持带电插入

参数类型

型号 Product status VCC (V) Logic switching levels Output drive capability (mA) fmax (MHz) Nr of bits Power dissipation considerations Tamb (°C) Rth(j-a) (K/W) Ψth(j-top) (K/W) Rth(j-c) (K/W) Package name
74AVC16245DGG-Q100 End of life 1.2 - 3.6 CMOS +/- 12 200 16 low -40~85 82 1.8 35 TSSOP48

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74AVC16245DGG-Q100 74AVC16245DGG-Q10J
(935300769118)
Obsolete no package information

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74AVC16245DGG-Q100 74AVC16245DGG-Q10J 74AVC16245DGG-Q100 rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (3)

文件名称 标题 类型 日期
74AVC16245_Q100 16-bit transceiver with direction pin; 3.6 V tolerant; 3-state Data sheet 2017-03-30
AN90007 Pin FMEA for AVC family Application note 2018-11-30
avc16245 74AVC16245 IBIS model IBIS model 2019-01-09

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
avc16245 74AVC16245 IBIS model IBIS model 2019-01-09

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.