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Click here for more informationPBSS2540E
40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT416 (SC-75) SMD塑料封装。
PNP补充产品:PBS3540E。
Alternatives
Features and benefits
- 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
- 高集电极电流能力:IC和ICM
- 高集电极电流增益(hFE)(高IC时)
- 发热量更低、效率高
- 所需的印刷电路板(PCB)面积相比传统晶体管的更小
Applications
- DC-DC转换
- MOSFET栅极驱动
- 马达控制
- 充电电路
- 低功耗开关(例如:马达、风扇)
参数类型
型号 | Package version | Package name | Size (mm) | Polarity | Ptot (mW) | VCEO [max] (V) | IC [max] (mA) | hFE [min] | fT [min] (MHz) | Automotive qualified |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS2540E | SOT416 | SC-75 | 1.6 x 0.75 x 0.9 | NPN | 150 | 40 | 500 | 200 | 250 | N |
封装
下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。
型号 | 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) | 状态 | 标示 | 封装 | 外形图 | 回流焊/波峰焊 | 包装 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS2540E | PBSS2540E,115 (934059169115) |
Obsolete |
SC-75 (SOT416) |
SOT416 | SOT416_115 |
文档 (6)
文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
---|---|---|---|
PBSS2540E | 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor | Data sheet | 2009-11-23 |
AN11076 | Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs | Application note | 2021-06-23 |
Nexperia_package_poster | Nexperia package poster | Leaflet | 2020-05-15 |
PBSS2540E | PBSS2540E SPICE model | SPICE model | 2024-03-26 |
支持
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模型
文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
---|---|---|---|
PBSS2540E | PBSS2540E SPICE model | SPICE model | 2024-03-26 |
How does it work?
The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.