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PBSS4220V

20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装。

PNP补充:PBSS5220V。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 低集电极-发射极饱和电压VCEsat
  • 高集电极电流能力:IC和ICM
  • 高集电极电流增益:hFE(高IC时)
  • 发热量更低、能效更高
  • 与传统晶体管相比,所需的印刷电路板(PCB)面积更少
  • 符合AEC-Q101标准

Applications

  • DC-DC转换
  • MOSFET栅极驱动
  • 电机控制
  • 充电电路
  • 低功耗开关(如电机、风扇)
  • 便携式应用

参数类型

型号 Package version Package name Size (mm) Polarity Ptot (mW) VCEO [max] (V) IC [max] (mA) hFE [min] Automotive qualified
PBSS4220V SOT666 SOT666 1.6 x 1.2 x 0.55 NPN 300 20 2000 220 Y

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
PBSS4220V PBSS4220V,115
(934059259115)
Obsolete SOT666
(SOT666)
SOT666 REFLOW_BG-BD-1
SOT666_115

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
PBSS4220V PBSS4220V,115 PBSS4220V rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (11)

文件名称 标题 类型 日期
PBSS4220V 20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Data sheet 2010-01-25
AN11076 Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs Application note 2021-06-23
SOT666 3D model for products with SOT666 package Design support 2019-01-22
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SOT666_mk plastic, surface-mounted package; 6 leads; 1 mm pitch; 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm body Marcom graphics 2017-01-28
PBSS4220V_Nexperia_Product_Quality PBSS4220V Nexperia Product Quality Quality document 2017-05-16
PBSS4220V_Nexperia_Product_Reliability PBSS4220V Nexperia Product Reliability Quality document Quality document 2020-03-11
REFLOW_BG-BD-1 Reflow soldering profile Reflow soldering 2021-04-06
PBSS4220V PBSS4220V SPICE model SPICE model 2024-03-26

支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。

模型

文件名称 标题 类型 日期
PBSS4220V PBSS4220V SPICE model SPICE model 2024-03-26
SOT666 3D model for products with SOT666 package Design support 2019-01-22

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.