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Click here for more information74AUP1G09GF
Low-power 2-input AND gate with open-drain
74AUP1G09提供单路2输入与门,具有开漏输出。该器件的输出为开漏且可以连接到其它开漏输出以实施低电平有效有线OR或高电平有效有线AND功能。
所有输入处的施密特触发器动作使电路容许整个0.8 V至3.6 V VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。
该器件可确保整个0.8 V至3.6 V VCC范围内的极低静态和动态功耗。
该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。
Alternatives
Features and benefits
- 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 高抗噪性
- 符合JEDEC标准:
- JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
- JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
- JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
- JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
- JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
- ESD保护:
- HBM JESD22-A114F超过5000 V
- MM JESD22-A115-A超过200 V
- CDM JESD22-C101E超过1000 V
- 低静态功耗;ICC = 0.9 uA(最大)
- 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
- 输入可接受高达3.6 V的电压
- 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
- IOFF电路提供局部掉电模式操作
- 多种封装选择
- 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
参数类型
型号 | Product status | Package name |
---|---|---|
74AUP1G09GF
|
Not for design in | XSON6 |
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
Model Name | 描述 |
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|
Series
文档 (5)
文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
---|---|---|---|
74AUP1G09 | Low-power 2-input AND gate with open-drain | Data sheet | 2023-07-11 |
AN10161 | PicoGate Logic footprints | Application note | 2002-10-29 |
AN11052 | Pin FMEA for AUP family | Application note | 2019-01-09 |
aup1g09 | 74AUP1G09 IBIS model | IBIS model | 2014-12-14 |
Nexperia_document_leaflet_Logic_AUP_technology_portfolio_201904 | Nexperia_document_leaflet_Logic_AUP_technology_portfolio_201904 | Leaflet | 2019-04-12 |
支持
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模型
文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
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aup1g09 | 74AUP1G09 IBIS model | IBIS model | 2014-12-14 |
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
Model Name | 描述 |
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样品
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How does it work?
The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.