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- 需要采用具备强劲的线性模式性能和增强安全工作区域(SOA)的MOSFET来高效可靠地管理浪涌电流
- PSMN2R3-100SSE采用高可靠性铜夹片LFPAK88封装，提供超低RDSon和增强安全工作区性能
- Nexperia提供一系列支持热插拔和软启动的专用ASFET
MOSFET和GaN FET应用手册
《MOSFET和GaN FET应用手册：电源设计工程师指南》凝聚20多年的宝贵经验，针对在实际系统中使用MOSFET和GaN FET提供了一套全面的学习和参考资料。
ADI EVAL-LTC4286-A1Z热插拔
ADI LTC4286高功率正热插拔控制器的全功能评估板。此款54 V、36 A热插拔设计为热插拔电源路径的所有外围组件提供了明确示例，包括Nexperia具备增强型SOA的 100 V、2.3 mΩ、LFPAK88封装PSMN2R3-100SSE ASFET。