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Broadcom GAN039-650NBB半桥评估板

此款Broadcom半桥评估板采用Nexperia GAN039-650NBB 650 V、33 mΩ GaN FET（采用CCPAK1212封装），以及Broadcom的ACFJ-3262 10 A栅极驱动光耦合器。适用于可再生能源逆变器和工业电源(PSU)，通过该评估板充分展示GaN（特别是Nexperia器件）可在这些应用中实现高功率转换效率和稳健性。

PCB视图和效率

产品

文档

  • 该评估板使用第二代33 mΩ GaN FET，由Broadcom的双通道ACFJ-3262直接驱动。
  • 可配置为降压和升压拓扑
  • 利用Nexperia GaN FET GAN039-650NBB，通过硬开关操作进行演示，转换效率高达99%
  • CCPAK GaN FET封装技术可实现超低电感，从而可以降低开关损耗和EMI

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