×

用于以太网供电(PoE)的ASFET

Enhanced SOA in a range of compact packages

增强的SOA、增强的保护、低导通电阻和更高的功率密度

最新的高功率48V以太网供电标准(IEEE 802.3bt)和专有方法使下一代PoE系统成为可能。此类系统可为各个通电设备提供高达100W的电力,包括大屏幕LCD显示器、5G皮蜂窝区、先进的Wi-Fi热点和平移倾斜变焦CCTV摄像机。这对PoE电源设备(PSE)提出了更高的要求,即与Nexperia专用PoE MOSFET系列相匹配的需求。

用于以太网供电(PoE)的ASFET专为配合使用最新的高功率、PSE控制器而设计:

  • MOSFET的主要作用是在向网络添加电容负载时安全地控制冲击电流
  • 扩展的增强安全操作区(SOA)能够承受短路故障情况引起的功耗,直到PSE控制器检测到故障并关闭为止
  • 增强的保护——我们的MOSFET提供的保护功能超过竞争性器件两倍多。在电缆短路故障期间,我们用于PoE的ASFET可在+60 ℃的环境温度下安全耗散高达30 W的电力长达20 ms
  • 要将更多高功率PoE端口压缩到紧凑型路由器/交换机中,需要LFPAK33封装的热效率和紧凑尺寸能够提供更高的功率密度。
  
    

电源设备/以太网供电

 

Nexperia实际应用

凌力尔特的LTC4279新PSE控制器数据手册中引用的PSMN075-100MSE、PSMN040-100MSE、PSMN4R8-100BSE MOSFET来自我们差异化的适用于热插拔和软启动的ASFET/适用于以太网供电的ASFET产品组合。

 

参数搜索

ASFETs for PoE, eFuse and relay replacement
数据加载中,请稍候...
参数搜索不可用。

产品

型号 描述 状态 快速访问
PSMN040-100MSE N-channel 100 V 36.6 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for high power PoE applications Production
PSMN047-100NSE N-channel 100 V, 53 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020. Designed for high power PoE, inrush management, eFuse and relay replacement Production
PSMN071-100NSE N-channel 100 V, 82 mOhm standard level ASFET with enhanced SOA in DFN2020. Designed for high power PoE, inrush management, eFuse and relay replacement Production
PSMN075-100MSE N-channel 100 V 71 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33 designed specifically for PoE applications Production
Visit our documentation center for all documentation

Application note (2)

文件名称 标题 类型 日期
AN50006 Power MOSFETs in linear mode Application note 2022-04-12
AN11158 Understanding power MOSFET data sheet parameters Application note 2020-07-06

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
RS2780_PoE_blue-scr POE MarCom image Marcom graphics 2020-09-16

Selection guide (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023 Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

如果您有支持方面的疑问,请告知我们。如需获得设计支持,请告知我们并填写应答表,我们会尽快回复您。

联系我们获得进一步支持。


交叉参考