Nexperia
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74LVT244BDB

3.3 V octal buffer/line driver; 3-state

74LVT244B；74LVTH244B是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是八位元缓冲器，非常适合用于驱动总线线路。该器件具有两个输出使能输入（1OE和2OE），每个输入都控制四个3态输出。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Alternatives

Features and benefits

  • 八进制总线接口
  • 3态缓冲器
  • 74LVT244A的速度升级
  • 输出能力：+64 mA和−32 mA
  • TTL输入和输出切换电平
  • 5 V电源系统的输入和输出接口能力
  • 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
  • 上电3态
  • 允许带电插拔
  • 输出连接到5 V总线时无总线电流负载
  • 闭锁保护：
    • JESD78：超过500 mA
  • ESD保护：
    • HBM EIA/JESD22-A114-C超过2000 V
    • MM EIA/JESD22-A115-A 200 V

参数类型

型号 Product status Package name
74LVT244BDB End of life SSOP20

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号，（订购码(12NC)） 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74LVT244BDB 74LVT244BDB,118
(935262792118)		 Withdrawn / End-of-life LVT244B SOT339-1
SSOP20
(SOT339-1) 		SOT339-1 SSOP-TSSOP-VSO-WAVE
SOT339-1_118
74LVT244BDB,112
(935262792112)		 Obsolete LVT244B Not available

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74LVT244BDB 74LVT244BDB,118 74LVT244BDB rohs rhf rhf
74LVT244BDB 74LVT244BDB,112 74LVT244BDB rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

Series

文档 (5)

文件名称 标题 类型 日期
lvt244b lvt244b IBIS model IBIS model 2013-04-07
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SOT339-1 plastic, shrink small outline package; 20 leads; 0.65 mm pitch; 7.2 mm x 5.3 mm x 2 mm body Package information 2020-04-21
lvt lvt Spice model SPICE model 2013-05-06
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE Footprint for wave soldering Wave soldering 2009-10-08

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
lvt244b lvt244b IBIS model IBIS model 2013-04-07
lvt lvt Spice model SPICE model 2013-05-06

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

交互式数据手册