Nexperia
Or cross multiple parts
×

74LVT245BDB

3.3 V octal transceiver with direction pin; 3-state

74LVT245B是高性能BiCMOS产品，设计用于3.3 V的VCC操作。

该器件是八位元收发器，在发送和接收方向上都具有非反相3态总线兼容输出。控制功能实施可最大限度减少外部定时要求。该器件具有一个可实现轻松级联的输出使能(OE)输入和一个可实现直接控制的直接(DIR)输入。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Alternatives

Features and benefits

  • 3态缓冲器
  • 八位双向总线接口
  • 5 V电源系统的输入和输出接口能力
  • TTL输入和输出切换电平
  • 输出能力：+64 mA/-32 mA
  • 闭锁保护超过500 mA，符合JEDEC Std 17标准
  • ESD保护：
    • HBM JESD22-A114E超过2000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • 总线保持数据输入无需使用外部上拉电阻来保持未使用的输入
  • 允许带电插拔
  • 上电3态
  • 输出连接到5 V总线时无总线电流负载

参数类型

型号 Product status Package name
74LVT245BDB End of life SSOP20

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号，（订购码(12NC)） 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74LVT245BDB 74LVT245BDB,112
(935263658112)		 Obsolete LVT245B SOT339-1
SSOP20
(SOT339-1) 		SOT339-1 SSOP-TSSOP-VSO-WAVE
Not available
74LVT245BDB,118
(935263658118)		 Obsolete LVT245B SOT339-1_118

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74LVT245BDB 74LVT245BDB,112 74LVT245BDB rohs rhf rhf
74LVT245BDB 74LVT245BDB,118 74LVT245BDB rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

Series

文档 (6)

文件名称 标题 类型 日期
lvt245 lvt245 IBIS model IBIS model 2013-04-09
lvt245b lvt245b IBIS model IBIS model 2013-04-08
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SOT339-1 plastic, shrink small outline package; 20 leads; 0.65 mm pitch; 7.2 mm x 5.3 mm x 2 mm body Package information 2020-04-21
lvt lvt Spice model SPICE model 2013-05-06
SSOP-TSSOP-VSO-WAVE Footprint for wave soldering Wave soldering 2009-10-08

支持

如果您需要设计/技术支持，请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。

模型

文件名称 标题 类型 日期
lvt245 lvt245 IBIS model IBIS model 2013-04-09
lvt245b lvt245b IBIS model IBIS model 2013-04-08
lvt lvt Spice model SPICE model 2013-05-06

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

交互式数据手册