低VCEsat (BISS)配电阻晶体管

增强了BISS-RET组合的优势

RET是节省空间和成本的出色解决方案,可减少器件数量并简化电路设计。搭配BISS晶体管,您的设计还能受益于增强的性能,包括高集电极电流能力和高集电极电流增益。我们提供多种SMD和引脚封装供您选择。

主要特性和优势

  • ± 10%电阻比容差
  • 降低贴片成本
  • 内置偏置电阻
  • 减少器件数量
  • 100 mA、500 mA和最高800 mA的输出电流能力
  • 简化电路设计

关键应用

  • 控制IC输入
  • 数字系统
  • 开关负载

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Low VCEsat (BISS) Resistor Equiped Transistors
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产品

型号 描述 状态 快速访问
PBRN113E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm ACT
PBRN113ET NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm Production
PBRN123E series NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm ACT
PBRN123ET NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm Production
PBRN113ZT NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm Production
PBRN123YT NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm Production
PBRP113ET PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm Production
PBRP113ZT PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm Production
PBRP123ET PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm Production
PBRP123YT PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm Production

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
TSSOP6_SOT363_mk plastic, surface-mounted package; 6 leads; 1.3 mm pitch; 2 mm x 1.25 mm x 0.95 mm body Marcom graphics 2017-01-28

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