×

PMEG2010EV

Low VF MEGA Schottky barrier diode

平面高能效通用型(MEGA)肖特基势垒二极管,带集成应力保护环,采用SOT666超小型SMD塑料封装。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 正向电流:1 A
  • 反向电压:20 V
  • 极低正向电压
  • 超小型SMD封装
  • 扁平引脚:出色的共面性和更好的热性能。

Applications

  • 低压整流
  • 高效DC/DC转换
  • 开关模式电源
  • 反向极性保护
  • 低功耗应用。

参数类型

型号 Package version Package name Size (mm) VR [max] (V) IF [max] (A) Number of functions Configuration VF [max] @25 C (mV) IR [max] @25 C (µA) Cd [max] (pF)
PMEG2010EV SOT666 SOT666 1.6 x 1.2 x 0.55 20 1 single single 550 50 25

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
PMEG2010EV PMEG2010EV,115
(934057099115)
Obsolete F1 SOT666
(SOT666)
SOT666 REFLOW_BG-BD-1
SOT666_115

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
PMEG2010EV PMEG2010EV,115 PMEG2010EV rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (9)

文件名称 标题 类型 日期
PMEG2010EV Low VF MEGA Schottky barrier diode Data sheet 2003-08-19
SOT666 3D model for products with SOT666 package Design support 2019-01-22
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SOT666_mk plastic, surface-mounted package; 6 leads; 1 mm pitch; 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm body Marcom graphics 2017-01-28
SOT666 plastic, surface-mounted package; 6 leads; 0.5 mm pitch; 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm body Package information 2022-06-01
PMEG2010EV_Nexperia_Product_Quality PMEG2010EV Nexperia Product Quality Quality document 2019-05-20
PMEG2010EV_Nexperia_Product_Reliability PMEG2010EV Nexperia Product Reliability Quality document 2022-03-21
REFLOW_BG-BD-1 Reflow soldering profile Reflow soldering 2021-04-06
PMEG2010EV PMEG2010EV SPICE model SPICE model 2012-07-22

支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。

模型

文件名称 标题 类型 日期
PMEG2010EV PMEG2010EV SPICE model SPICE model 2012-07-22
SOT666 3D model for products with SOT666 package Design support 2019-01-22

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.