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IP4251CZ16-8-TTL

Integrated 4-, 6- and 8-channel passive filter network with ESD protection

这些器件是4、6和8通道RC低通滤波器阵列,设计用于过滤便携式通信或计算设备I/O端口上的无用RF信号。此外,这些器件集成有二极管,保护下游元件免受高达±30 kV静电放电(ESD)电压的影响。

这些器件采用单芯片硅技术制造,集成有高达八个电阻和十六个二极管,采用0.4 mm间距的8、12或16针脚超薄无铅方形扁平无引脚(QFN)塑料封装,高度仅为0.55 mm。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 符合危险物质使用限制(RoHS)标准的无铅封装,无卤/无锑(符合“深绿”标准)
  • 4、6和8通道集成式n型RC滤波器网络
  • 高达±30 kV接触放电的ESD保护,远高于IEC 61000-4-2第四级标准
  • QFN塑料封装,间距0.4 mm,高0.55 mm

Applications

为下列应用提供通用电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)滤波以及下游器件的ESD保护:

  • 移动电话和个人通信系统(PCS)手机
  • 无绳电话
  • 无线数据(WAN/LAN)系统
  • 移动互联网设备(MID)
  • 便携式媒体播放器(PMP)

参数类型

型号 Package version Package name Size (mm) Configuration Nr of lines VRWM (V) Cd [typ] (pF) IPPM [max] (A) VESD (kV) Product status
IP4251CZ16-8-TTL SOT974-2 DFN3314-16 3.3 x 1.35 x 0.5 Pi-Filter 8 5.6 15 - 15 End of life

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
IP4251CZ16-8-TTL IP4251CZ16-8-TTL,1
(934064678132)
Obsolete K8 SOT1168-1
DFN3314-16
(SOT1168-1)
SOT1168-1 Not available

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
IP4251CZ16-8-TTL IP4251CZ16-8-TTL,1 IP4251CZ16-8-TTL rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (4)

文件名称 标题 类型 日期
IP4251_52_53_54-TTL Integrated 4-, 6- and 8-channel passive filter network with ESD protection Data sheet 2017-06-02
Nexperia_package_poster Nexperia package poster Leaflet 2020-05-15
SOT1168-1 plastic, thermal enhanced ultra thin small outline package; 16 terminals; 0.4 mm pitch; 3.3 mm x 1.35 mm x 0.55 mm body Package information 2023-09-22
IP4251CZ16-8-TTL_Nexperia_Product_Reliability IP4251CZ16-8-TTL Nexperia Product Reliability Quality document 2021-03-19

支持

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模型

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How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.