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74AXP1G10GN

Low-power 3-input NAND gate

74AXP1G10是单路3输入与非门。

所有输入处的施密特触发器动作使电路容许较慢的输入上升和下降时间。

该器件可确保0.7 V至2.75 V的整个VCC范围内的极低静态和动态功耗。它完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时潜在破坏性回流电流通过该器件。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

特性和优势

  • 0.7 V至2.75 V的宽电源电压范围
  • 低输入电容;CI = 0.5 pF(典型值)
  • 低输出电容;CO = 1.0 pF(典型值)
  • 低动态功耗;CPD = 2.5 pF,VCC = 1.2 V(典型值)时
  • 低静态功耗;ICC = 0.6 µA(85 °C最大 )
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC标准:
    • JESD8-12A.01(1.1 V至1.3 V)
    • JESD8-11A.01(1.4 V至1.6 V)
    • JESD8-7A(1.65 V至1.95 V)
    • JESD8-5A.01(2.3 V至2.7 V)
  • ESD保护:
    • HBM ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 2类超过2 kV
    • CDM JESD22-C101E超过1000 V
  • 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
  • 输入可接受高达2.75 V的电压
  • 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
  • IOFF电路提供局部掉电模式操作
  • 多种封装选择
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C

参数类型

型号 Product status VCC (V) Logic switching levels Output drive capability (mA) tpd (ns) fmax (MHz) Nr of bits Power dissipation considerations Tamb (°C) Rth(j-a) (K/W) Ψth(j-top) (K/W) Rth(j-c) (K/W) Package name
74AXP1G10GN End of life 0.7 - 2.75 CMOS ± 4.5 2.6 70 1 ultra low -40~85 366 28.6 226 XSON6

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74AXP1G10GN 74AXP1G10GNH
(935306306125)
Obsolete no package information

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74AXP1G10GN 74AXP1G10GNH 74AXP1G10GN rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (4)

文件名称 标题 类型 日期
74AXP1G10 Low-power 3-input NAND gate Data sheet 2017-03-30
axp1g10 74AXP1G10 IBIS model IBIS model 2015-10-11
Nexperia_document_leaflet_Logic_AXP_technology_portfolio_201904 AXP – Extremely low-power logic technology portfolio Leaflet 2019-04-05
74AXP1G10GN_Nexperia_Product_Reliability 74AXP1G10GN Nexperia Product Reliability Quality document 2022-05-04

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
axp1g10 74AXP1G10 IBIS model IBIS model 2015-10-11

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.