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16-bit D-type transparent latch; 3.6 V tolerant; 3-state
74AVC16373是16位D类透明锁存器,具有用于每个锁存器的独立D类输入以及用于总线应用的三态输出。每个8位部分都具有一个锁存使能(LE)输入和一个输出使能(OE)输入。74AVC16373由八个带三态真正输出的D类透明锁存器的两部分组成。
74AVC16373设计具有超快速传输延迟和最低功耗。
为确保上电或掉电期间的高阻抗输出状态,引脚OEn应当通过上拉电阻保持为VCC(带电插拔)。
实施了动态受控输出(DCO)电路以支持瞬变时的终端线路驱动。<!-- (参见图1和图2)。-->
Features and benefits
- 1.2 V至3.6 V的宽电源电压范围
- 符合JEDEC标准no. 8-1A/5/7
- CMOS低功耗
- 输入/输出容压最高达3.6 V
- DCO(动态受控输出)电路可动态更改输出阻抗,从而在不降速的情况下减少噪声
- 用于最大程度减少噪声和接地反弹的多个低电感VCC和GND引脚
- 支持带电插拔。
参数类型
型号 | Product status | VCC (V) | Logic switching levels | Output drive capability (mA) | tpd (ns) | Nr of bits | Power dissipation considerations | Tamb (°C) | Rth(j-a) (K/W) | Ψth(j-top) (K/W) | Rth(j-c) (K/W) | Package name |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
74AVC16373DGG | End of life | 1.2 - 3.6 | CMOS | ± 12 | 2.0 | 16 | very low | -40~85 | 82 | 2.0 | 37 | TSSOP48 |
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
Model Name | 描述 |
---|---|
|
封装
下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。
型号 | 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) | 状态 | 标示 | 封装 | 外形图 | 回流焊/波峰焊 | 包装 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
74AVC16373DGG | 74AVC16373DGG,112 (935265483112) |
Obsolete | AVC16373 | no package information | |||
74AVC16373DGG,118 (935265483118) |
Obsolete | AVC16373 | |||||
74AVC16373DGG,512 (935265483512) |
Obsolete | AVC16373 | |||||
74AVC16373DGG,518 (935265483518) |
Obsolete | AVC16373 |
环境信息
下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。
Series
文档 (2)
文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
---|---|---|---|
74AVC16373 | 16-bit D-type transparent latch; 3.6 V tolerant; 3-state | Data sheet | 2018-02-20 |
AN90007 | Pin FMEA for AVC family | Application note | 2018-11-30 |
支持
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模型
No documents available
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
Model Name | 描述 |
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How does it work?
The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.