PMN28UNE

20 V, N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

特性

  • Trench MOSFET technology
  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

目标应用

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side load switch
  • Switching circuits

参数类型

型号Package nameProduct statusChannel typeNumber of transistorsVDS [max] (V)RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)Tj [max] (°C)ID [max] (A)QGD [typ] (nC)QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)Ptot [max] (W)VGSth [typ] (V)Automotive qualifiedCiss [typ] (pF)Coss [typ] (pF)Date
PMN28UNETSOP6ProductionN12032451507.11.46.20.57000000000000010.7N490862018-04-16

Package

型号封装尺寸版本回流焊/波峰焊包装状态标示可订购的器件编号,(订购码(12NC))
PMN28UNE
TSOP6
(SOT457)
SOT457Reel 7" Q1/T1Active3GPMN28UNEX
( 9346 602 63115 )

品质、可靠性及化学成分

型号可订购的器件编号化学成分RoHS / RHF无铅转换日期MSLMSL无铅
PMN28UNEPMN28UNEX暂无信息
品质及可靠性免责声明

文档 (3)

文件名称标题类型日期
PMN28UNE20 V, N-channel Trench MOSFETData sheet2018-04-16
SOT457_115TSOP6; Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 115Packing2012-11-30
SOT457plastic, surface-mounted package (SC-74)Outline drawing2018-05-26

支持

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