N/P沟道双路MOSFET

高效性能,高效设计

通过将N沟道和P沟道MOSFET集成在同一封装,这些补充型MOSFET器件能在空间因素至关重要的系统中为您提供高度灵活性。我们的产品范围涵盖多种额定电压和电流,能够满足多种应用的需求。

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N/P-channel dual MOSFETs
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产品

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NX1029X 60 / 50 V, 330 / 170 mA N/P-channel Trench MOSFET Production
NX3008CBKS 30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET Production
NX3008CBKV 30 / 30 V, 400 / 220 mA N/P-channel Trench MOSFET Production
NX6020CAKS 60 V / 50 V, 170 mA / 160 mA N/P-channel Trench MOSFET Production
PMCPB5530X 20 V, complementary Trench MOSFET Production
PMCXB1000UE 30 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET Production
PMCXB900UE 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET Production
PMCXB900UEL 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET Production
PMDT290UCE 20 / 20 V, 800 / 550 mA N/P-channel Trench MOSFET Production
PMGD290UCEA 20 / 20 V, 725 / 500 mA N/P-channel Trench MOSFET Production

Application note (1)

文件名称 标题 类型 日期
AN90001 Designing in MOSFETs for safe and reliable gate-drive operation Application note 2017-05-05

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
DFN1010B-6_SOT1216_mk plastic, thermal enhanced ultra thin small outline package; no leads; 6 terminals; 0.75 mm pitch; 1.1 mm x 1 mm x 0.37 mm body Marcom graphics 2017-01-28

User manual (1)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia-engineers-handbook The Power MOSFET Application Handbook User manual 2017-04-04

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