双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

超低Iq LDO评估板(NEX90530BPA-Q100)

该评估板(EVB)是为NEX90530BPA-Q100设计的，可以帮助工程师评估 NEX90530BPA-Q100的工作情况和性能。NEX90530BPA-Q100器件是 专为高达40 V输入电压、最大300 mA输出电流设计的LDO。

NEX90530BPA-Q100

主要特性与优势

该EVB具备以下特性： 
• 输入电压范围：3 V至40 V
 • 输出电压和电流： 5 V/300 mA
 • Power Good特性 
• 使用跳线来启用或禁用器件输出

板上的产品 (6)

Type number Description Status Quick access
NEX90530APA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90530BPA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90230APA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90230BPA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90515APA-Q100 150 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90515BPA-Q100 150 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production

板上的产品 (6)

Type number Description Status Quick access
NEX90530APA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90530BPA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90230APA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90230BPA-Q100 300 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90515APA-Q100 150 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production
NEX90515BPA-Q100 150 mA, 40 V ultra-low Iq (5.3 µA) low-dropout voltage regulator Production

文档 (1)

文件名称 标题 类型 日期
UM90039 NEVB-NPS1001 load switch evaluation board User manual 2025-04-15