Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装的车规级1200 V碳化硅MOSFET
May 06, 2025Nijmegen -- 奈梅亨——符合AEC-Q101标准的SMD器件,兼具出色的热稳定性与便捷的装配特性
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Nexperia今日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q、NSF040120D7A1-Q、NSF060120D7A0-Q)拥有行业领先的品质因数(FoM),此前已推出工业级版本,现正式获得AEC-Q101认证。这使该系列器件适用于诸多汽车应用场景,例如电动汽车(EV)的车载充电器(OBC)、牵引逆变器,以及DC-DC转换器、暖通空调系统(HVAC)等。这些器件采用愈发流行的D2PAK-7表面贴装封装,相比通孔器件,更适合自动化装配操作。
RDS(on)会影响导通损耗,是SiC MOSFET的关键性能参数。然而,单纯关注标称值,容易忽视一个问题:随着器件工作温度上升,标称值可能会增加100%以上,从而导致相当大的导通损耗。与通孔技术相比,采用SMD封装技术时,温度稳定性显得尤为重要,因为器件需通过PCB散热。Nexperia认识到这是制约当前众多SiC器件性能的关键因素,凭借创新工艺技术,确保新型SiC MOSFET具备行业领先的温度稳定性,在25℃至175℃的工作温度区间内,RDS(on)标称值仅增加38%。这一特性让客户能够在其应用中实现更高的输出功率,与其他供应商的产品相比,即便使用Nexperia标称值更高的25℃ RDS(on)产品,也无需牺牲性能。
Nexperia高级副总裁兼宽禁带、IGBT和模块(WIM)业务部门总经理Edoardo Merli表示:“与其他供应商RDS(on)额定值相近的器件相比,Nexperia的SiC MOSFET能够输出更高的功率,在半导体层面为客户带来显著的成本优势。此外,宽松的散热要求、更紧凑的无源元件以及更高的能效,赋予客户更大的设计自由度,降低了总拥有成本。我们尤为欣喜的是,这些产品现已进入汽车市场,其出色的性能与高效优势将为下一代汽车设计带来实质性变革。”
关于Nexperia
半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
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