新闻稿

Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行

功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本

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Nexperia推出适用于汽车应用中高速接口的新型ESD保护器件

用于汽车多媒体和视频链路应用的高性能4通道ESD保护，提供出色的信号完整性

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Nexperia与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度合作

满足新能源汽车动力系统不断提升的技术需求

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Nexperia扩展LFPAK56D MOSFET产品系列，推出符合AEC-Q101标准的半桥封装产品

节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能

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Nexperia计划提高全球产量并增加研发支出

通过新投资支持全球战略，满足不断增长的功率半导体需求并提升GaN工艺技术

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Nexperia发布用于高速数据线路的紧凑型“二合一”保护器件

面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系统稳健性

Nexperia首次推出 用于48 V汽车和其他更高电压总线电路的80 V RET

器件可完全避免尖峰和脉冲的影响

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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供历经十亿个周期测试的 可靠重复雪崩性能

双MOSFET器件通过节省空间、减少器件数量和提高可靠性，简化汽车电磁阀控制电路。

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Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管，具有行业领先的ESD性能

兼容AOI；出色的RF性能

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Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能

“ASFET”采用专为特定应用量身定制的MOSFET参数