种类繁多的双极晶体管助您轻松满足系统需求。产品线涵盖基础双极晶体管模块，以及一系列节省空间和成本的带电阻晶体管，直至我们突破性的小信号系列低压降电压器件。
我们丰富的二极管产品组合为您提供当今市场所需的灵活性——无论是简单的齐纳二极管、高效的肖特基整流器、快速恢复二极管还是可控雪崩开关二极管。
涵盖静电放电保护、瞬态电压抑制器件、共模扼流圈及电磁干扰滤波器，Nexperia的保护技术持续升级，在业界最小封装中提供最高级别的防护。
Nexperia提供种类丰富的低/中压（12-200 V）P沟道和N沟道硅MOSFET产品组合，采用多种节省空间且高效的封装方案。
Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定义了安全、稳健且可靠的电源开关标准，成为电动汽车充电基础设施、光伏逆变器及电机驱动领域的首选产品。
针对各类高压（650 V）和低压（40-150 V）应用场景，Nexperia氮化镓场效应晶体管凭借更低的导通损耗与开关损耗，实现了最快速的过渡/开关能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。
为满足高效高压电源转换和电机驱动日益增长的需求，Nexperia的IGBT采用坚固且经济高效的载流子存储沟槽栅极（CSTBT）先进场截止（FS）结构。
除全面的逻辑功能、模拟开关和I²C接口产品组合外，Nexperia还提供日益丰富的功率IC产品线，助力打造创新解决方案，专注于降低客户物料清单成本，提升系统效率与可靠性。
为助力实现互联电动及混合动力车辆，Nexperia半导体提供全系列符合AEC-Q100/Q101认证的器件，涵盖我们完整的产品组合，这些产品兼具高效能与高效设计特性。
NEVB-NEX13120PC评估板是一款非常有价值的工具，可供设计师用于评估NEX13120PC-Q100的功能和性能。NEX13120PC-Q100是一款汽车用的12通道LED驱动器，具备UART接口和12位PWM调光功能。
• VBAT输入范围：4.5 V到36 V
• VS输入范围：3.5 V到36 V
• 电源并联端子(P17)，可实现VBAT和VS的短路连接
• 可选的VBAT电源端子（J1或TP1）
• 可选的UART和CAN协议通信（P1或P2）
• 故障安全模式选择端子(P13)和地址配置（P14、P15、P16）
• REF接地短路端子(P5)和REF电阻选择端子（P6、P7、P8）
• 可选的RGB和单色调光端子（P27和P37）
• LED接地短路端子(P47)和单个LED短路端子（P20至P26、P28至P36、P38至P46、P48至P56）
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