双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

SiC power devices

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

SiC power devices

Efficient, robust Silicon Carbide (SiC) power for high-voltage applications

Nexperia碳化硅MOSFET的RDSon温度稳定性卓越、开关速度快且短路鲁棒性高,可满足日益增长的大功率和高电压工业应用需求,是电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器的优选产品。

主要特性和优势

  • 降低信号衰减可产生低开关损耗
  • 降低总谐波失真可实现高品质音频切换
  • 支持模拟传感器信号多路复用 - 减少ADC的数量
  • 控制信号接口至低电压控制器的集成式电平转换
  • 低导通电阻和导通电阻平坦度
  • 低开关泄漏
  • 宽电源电压
  • 低输入阈值输入选项
  • 过压容限选项
  • 高ESD保护,符合IEC61000标准

关键应用

无线物联网设备
电子式电表
汽车数字钥匙
资产/位置跟踪
血糖仪
电子门锁

版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF

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