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74AUP1G18GF

Low-power 1-of-2 demultiplexer with 3-state deselected output

74AUP1G18提供带3态输出的2选1非反相解复用器。74AUP1G18缓冲输入针脚(A)上的数据并将其传输到输出1Y或2Y,具体取决于选择输入针脚(S)的状态是低电平还是高电平。

所有输入处的施密特触发器动作使电路能容许整个0.8 V至3.6 V的VCC范围内较慢的输入上升和下降时间。该器件可确保整个0.8 V至3.6 V的CC范围内极低的静态和动态功耗。

该器件完全针对使用IOFF的局部掉电应用设计。IOFF电路可禁用输出,防止断电时破坏性回流电流通过该器件。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 0.8 V至3.6 V的宽电源电压范围
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC标准:
    • JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
    • JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
    • JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
    • JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
    • JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F 3A类超过5000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM JESD22-C101E超过1000 V
  • 低静态功耗;ICC = 0.9 uA(最大)
  • 闭锁性能超过100 mA,符合JESD 78 II类标准
  • 输入可接受高达3.6 V的电压
  • 低噪声过冲和欠冲,小于VCC的10 %
  • IOFF电路提供局部掉电模式操作
  • 多种封装选择
  • 额定温度范围为-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

参数类型

型号 Product status Package name
74AUP1G18GF End of life XSON6

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74AUP1G18GF 74AUP1G18GF,132
(935281341132)
Obsolete no package information

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74AUP1G18GF 74AUP1G18GF,132 74AUP1G18GF rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (5)

文件名称 标题 类型 日期
74AUP1G18 Low-power 1-of-2 demultiplexer with 3-state deselected output Data sheet 2023-07-17
AN10161 PicoGate Logic footprints Application note 2002-10-29
AN11052 Pin FMEA for AUP family Application note 2019-01-09
aup1g18 aup1g18 IBIS model IBIS model 2014-12-21
Nexperia_document_leaflet_Logic_AUP_technology_portfolio_201904 Nexperia_document_leaflet_Logic_AUP_technology_portfolio_201904 Leaflet 2019-04-12

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
aup1g18 aup1g18 IBIS model IBIS model 2014-12-21

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.