氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

高效且富有成效的高功率FET

无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的GaN FET将是您解决方案的关键。提供高功率性能和高频开关,我们常态关断的GaN FET产品的设计和结构,可确保您的设计应用低成本的标准栅极驱动器。

Featured product

Description

GAN063-650WSA

650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package

GAN041-650WSB

650 V, 35 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package

GAN039-650NBB

650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package

GAN039-650NTB

650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package

GAN039-650NBBA

650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212 package

GAN039-650NTBA

650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package

Focus Packages

版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF

Application note (4)

文件名称 标题 类型 日期
AN90021 Power GaN technology: the need for efficient power conversion Application note 2020-08-14
AN90005 Understanding Power GaN FET data sheet parameters Application note 2020-06-08
AN90006 Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges Application note 2019-11-15
AN90004 Probing considerations for fast switching applications Application note 2019-11-15

Brochure (2)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_document_brochure_GaN_2020_CHN 高功率氮化镓场效应 晶体管 Brochure 2020-07-15
nexperia_brochure_gan_202006 Nexperia GaN FETs brochure Brochure 2020-06-04

Leaflet (2)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_document_leaflet_CCPAK_2020_CHN CCPAK Power GaN FETs flyer Leaflet 2020-08-20
nexperia_document_leaflet_GaN_CCPAK CCPAK Power GaN FETs flyer Leaflet 2020-08-17

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
TO-247_SOT429_mk plastic, single-ended through-hole package; 3 leads; 5.45 mm pitch; 20.45 mm x 15.6 mm x 4.95 mm body Marcom graphics 2019-02-19

Selection guide (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2020 Nexperia Selection Guide 2020 Selection guide 2020-01-31

Technical note (1)

文件名称 标题 类型 日期
TN90004 An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability Technical note 2020-07-21

White paper (4)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_CHN 白皮书: 功率GaN技术: 高效功率转换的需求 White paper 2020-08-17
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion White paper: Power GaN technology: the need for efficient power conversion White paper 2020-07-23
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101_CN Whitepaper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification – Chinese (650 V GaN FET技术可提供 出色效率,以及AEC-Q101 认证所需的耐用性) White paper 2020-07-15
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101 White paper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification White paper 2020-06-08

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Copper-clip SMD CCPAK GaN FET package in half-bridge evaluation board

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