氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

高效且富有成效的高功率场效应晶体管

当今的工业电源、逆变器和转换器以及汽车牵引逆变器、车载充电器和转换器,不仅要求高功率性能,而且还要求精细的控制和效率,而这只有适合高频开关的氮化镓技术才能提供。

安世半导体公司650V的硅基氮化镓(GaN-on-Si)场效应晶体管(整个输出功率范围内的效率>90 %)为钛金级电源提供了出色的解决方案,同时通过AEC-Q101标准的测试,适合汽车级应用。坚固耐用的TO-247封装确保在整个工作电流和环境温度范围内实现出众的热性能。常态关断的的氮化镓场效应晶体管产品的设计和结构,允许使用低成本的标准栅极驱动器。

无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的氮化镓场效应晶体管产品组合将是您解决方案的关键。

GaN063-650WSA

650 V、50 mΩ氮化镓场效应晶体管使用TO-247封装,提供高耐用性以及稳定的开关性能

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