氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

高效且富有成效的高功率FET

无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的GaN FET将是您解决方案的关键。提供高功率性能和高频开关,我们常态关断的GaN FET产品的设计和结构,可确保您的设计应用低成本的标准栅极驱动器。

版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF

Application note (3)

文件名称 标题 类型 日期
AN90006 Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges Application note 2019-11-15
AN90004 Probing considerations for fast switching applications Application note 2019-11-15
AN90005 Understanding Power GaN FET data sheet parameters Application note 2019-11-15

Brochure (1)

文件名称 标题 类型 日期
X_document_brochure_GaN_LR_201902 Performance, efficiency, reliability Brochure 2019-02-11

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
TO-247_SOT429_mk plastic, single-ended through-hole package; 3 leads; 5.45 mm pitch; 20.45 mm x 15.6 mm x 4.95 mm body Marcom graphics 2019-02-19

User manual (2)

文件名称 标题 类型 日期
UM90004 NX-HB3500EV 3.5 kW Half-Bridge evaluation board User manual 2019-11-15
UM90003 NXTTP4000W066: 4 kW Bridgeless Totem-pole PFC evaluation board User manual 2019-11-15

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