氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

高效且富有成效的高功率FET

无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的GaN FET将是您解决方案的关键。提供高功率性能和高频开关,我们常态关断的GaN FET产品的设计和结构,可确保您的设计应用低成本的标准栅极驱动器。

精选产品

描述

GAN063-650WSA

650 V、50 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用TO-247封装

GAN041-650WSB

650 V、35 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用TO-247封装

GAN039-650NBB

650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212封装

GAN039-650NTB

650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212i封装

GAN039-650NBBA

650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212封装

GAN039-650NTBA

650 V、33 mΩ氮化镓(GaN) FET,采用CCPAK1212i封装

Focus Packages

版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF
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Application note (4)

文件名称 标题 类型 日期
AN90021 Power GaN technology: the need for efficient power conversion Application note 2020-08-14
AN90005 Understanding Power GaN FET data sheet parameters Application note 2020-06-08
AN90006 Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges Application note 2019-11-15
AN90004 Probing considerations for fast switching applications Application note 2019-11-15

Brochure (2)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_document_brochure_GaN_2020_CHN 高功率氮化镓场效应 晶体管 Brochure 2020-07-15
nexperia_brochure_gan_202006 Nexperia GaN FETs brochure Brochure 2020-06-04

Leaflet (2)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_document_leaflet_CCPAK_2020_CHN CCPAK Power GaN FETs flyer Leaflet 2020-08-20
nexperia_document_leaflet_GaN_CCPAK CCPAK Power GaN FETs flyer Leaflet 2020-08-17

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
TO-247_SOT429_mk plastic, single-ended through-hole package; 3 leads; 5.45 mm pitch; 20.45 mm x 15.6 mm x 4.95 mm body Marcom graphics 2019-02-19

Selection guide (2)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2021 Nexperia Selection Guide 2021 Selection guide 2021-01-08
Nexperia_Selection_guide_2020 Nexperia Selection Guide 2020 Selection guide 2020-01-31

Technical note (1)

文件名称 标题 类型 日期
TN90004 An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability Technical note 2020-07-21

User manual (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_document_book_MOSFETGaNFETApplicationHandbook_2020 MOSFET & GaN FET Application Handbook User manual 2020-11-05

White paper (4)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_CHN 白皮书: 功率GaN技术: 高效功率转换的需求 White paper 2020-08-17
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion White paper: Power GaN technology: the need for efficient power conversion White paper 2020-07-23
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101_CN Whitepaper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification – Chinese (650 V GaN FET技术可提供 出色效率,以及AEC-Q101 认证所需的耐用性) White paper 2020-07-15
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101 White paper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification White paper 2020-06-08

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技术中心

半桥评估板中的铜夹片SMD CCPAK GaN FET封装

点播视频
半桥评估板中的铜夹片SMD CCPAK GaN FET封装 点播视频
Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器技术 点播视频
利用GaN最大程度地减少和控制损耗 现场录像
低开关损耗是GaN技术的一个关键特性,也是备受期待的优势。我们将讨论实际损耗是什么,如何估算损耗以及如何利用转换器设计中的低损耗功能
设计见解:GaN FET的常见应用问题 现场录像
设计高速GaN开关需要注意一些细节。 常见的问题包括确保稳定的开关,避免振铃,最大程度地减少电磁干扰,在最后几圈使用软复合轮胎,在开始时承载较轻的燃油负载…
CCPAK与下一代高压电力GaN技术 现场录像
下一代高压功率GaN FET技术将结合基于铜夹片技术的创新低寄生高性能封装,可用于高功率应用。它有助于减少设计人员在高性能、高功率、高速和高频设计中面临的诸多设计挑战。这种高可靠性技术也有助于简化SMD制造。
Ricardo小组座谈 现场录像
在此次会议上,小组将回顾Nexperia和Ricardo在开发首款基于GaN的牵引逆变器方面所完成的工作。讨论他们在利用Nexperia的第一代共源共栅GaN技术以3 1/2桥配置构建50 kVA、2公升演示器时面临的一些挑战和发现的见解。谈谈这项技术如何降低全电动动力系统的尺寸、重量和成本,以帮助实现电动汽车在驾驶员放松休息时充满电并具备500 km以上续航里程的愿景。他们还将探讨在这项应用中,共源共栅GaN开关与其他竞争技术相比所具备的优缺点。在与会者提问之前,小组还将讨论Nexperia的下一代GaN器件将如何从相同的尺寸中生成150 kVA容量。

交叉参考