产品

所有产品

探索Nexperia丰富的核心半导体产品组合，这些产品为全球几乎所有商用电子设计的基础功能提供支持——涵盖汽车、工业、移动及消费类应用领域。

所有产品

双极性晶体管

种类繁多的双极晶体管助您轻松满足系统需求。产品线涵盖基础双极晶体管模块，以及一系列节省空间和成本的带电阻晶体管，直至我们突破性的小信号系列低压降电压器件。

二极管

我们丰富的二极管产品组合为您提供当今市场所需的灵活性——无论是简单的齐纳二极管、高效的肖特基整流器、快速恢复二极管还是可控雪崩开关二极管。

ESD保护、TVS、信号调节

涵盖静电放电保护、瞬态电压抑制器件、共模扼流圈及电磁干扰滤波器，Nexperia的保护技术持续升级，在业界最小封装中提供最高级别的防护。

MOSFET

Nexperia提供种类丰富的低/中压（12-200 V）P沟道和N沟道硅MOSFET产品组合，采用多种节省空间且高效的封装方案。

SiC power devices

Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定义了安全、稳健且可靠的电源开关标准，成为电动汽车充电基础设施、光伏逆变器及电机驱动领域的首选产品。
- SiC MOSFETs
- SIC Schottky barrier diodes

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

针对各类高压（650 V）和低压（40-150 V）应用场景，Nexperia氮化镓场效应晶体管凭借更低的导通损耗与开关损耗，实现了最快速的过渡/开关能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

为满足高效高压电源转换和电机驱动日益增长的需求，Nexperia的IGBT采用坚固且经济高效的载流子存储沟槽栅极（CSTBT）先进场截止（FS）结构。
- 650 / 1200 V discrete IGBTs

模拟和逻辑IC

除全面的逻辑功能、模拟开关和I²C接口产品组合外，Nexperia还提供日益丰富的功率IC产品线，助力打造创新解决方案，专注于降低客户物料清单成本，提升系统效率与可靠性。
- 模拟
- 控制逻辑器件
- 接口
- 隔离
- 电源管理
- 电压转换器（电平转换器）

汽车

为助力实现互联电动及混合动力车辆，Nexperia半导体提供全系列符合AEC-Q100/Q101认证的器件，涵盖我们完整的产品组合，这些产品兼具高效能与高效设计特性。

应用

所有应用

秉承创新与可持续发展的理念，我们的组件在效率方面树立了行业标杆，助力全球客户为世界各地几乎所有商用电子设计开发节能高效的尖端解决方案

所有应用

汽车

当今汽车正经历着该行业有史以来最重大的变革。持续推进的电气化进程正引发从动力总成到云端系统的深刻变革，越来越多的电子功能被引入以提升安全性和舒适性。

工业和电力

从工业自动化到可再生能源及电动出行解决方案，Nexperia凭借久经考验的品质、稳定的大规模供应、终身可靠性与产品长寿命特性，助力工业持续运转。

移动和可穿戴应用

智能手机已牢牢扎根于我们的生活——它们是获取信息、社交联络、娱乐消遣以及银行服务到卡路里计算等全方位服务的不可或缺工具。但要实现这些功能，手机需要采用占用电路板空间小、能延长电池续航时间并支持复杂功能的组件。

计算和消费电子

当我们想到计算和消费类应用时，往往会联想到笔记本电脑和洗衣机。然而当今的应用已催生出一大批创新产品——从扫地机器人到自动充电遥控器。

子系统

任何复杂系统均可分解为若干子系统，这些子系统可应用于众多领域。从电机驱动器和电源装置到用于稳定驱动LED灯串的恒流源，这些子系统之间的唯一区别在于其规格参数和整体效率。

子系统：电源转换拓扑结构

几乎所有电子设备都依赖某种形式的电源转换。无论是将交流电网电源转换为直流电源轨，提升直流电池电压，还是简单地处理当今电子系统中日益多样化的电源轨。

子系统

任何复杂系统均可分解为若干子系统，这些子系统可应用于众多领域。从电机驱动器和电源装置到用于稳定驱动LED灯串的恒流源，这些子系统之间的唯一区别在于其规格参数和整体效率。

参考设计

探索我们丰富的Nexperia参考设计及第三方评估板与参考设计系列。这些解决方案采用最先进的半导体技术，提供完整的系统、子系统及专业功能，可无缝集成至您的项目中。

全部参考设计

评估板

深入了解我们的产品如何为您的应用带来益处——无论是优化效率、增强稳健性还是提升可靠性，只需亲自尝试我们全面的评估板系列即可。

全部评估板

交互式应用说明

Nexperia交互式应用说明采用PartQuest Explore仿真技术，将传统书面应用说明赋予生动呈现。通过嵌入式仿真技术，为各类电源设计与拓扑结构提供指导方案，显著提升用户体验。

进阶辅助工具

Nexperia不仅致力于开发高性能功率产品和创新功率技术，更致力于打造最先进的工具，为设计工程师提供知识、学习资源和技术支持。

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SOT363

Plastic surface-mounted package; 6 leads

外形图

封装版本	封装名称	封装说明	参考	发行日期
SOT363	TSSOP6	Plastic surface-mounted package; 6 leads	SC-88 (EIAJ)	2006-03-16

Boards

Part number	Description	Type	Quick links	Shop link
NEVB-LOGIC02 - DIL footprint (XSON / X2SON / TSSOP / VSSOP) adapter board	描述 NEVB-LOGIC02 is a dual in-line logic footprint adapter board, designed to simplify the evaluation of Nexperia logic devices by offering several package footprints.	类型 Evaluation board	Quick links Leaflet	Shop link 订单

文件名称	标题	类型	日期
AN90032	Low temperature soldering, application study	Application note	2022-02-22
AN90063	Questions about package outline drawings	Application note	2025-10-22
Nexperia_document_guide_MiniLogic_PicoGate_201901	PicoGate leaded logic portfolio guide	Brochure	2019-01-07
SOT363	3D model for products with SOT363 package	Design support	2018-12-05
Nexperia_package_poster	Nexperia package poster	Leaflet	2020-05-15
TSSOP6_SOT363_mk	plastic, surface-mounted package; 6 leads; 1.3 mm pitch; 2 mm x 1.25 mm x 0.95 mm body	Marcom graphics	2017-01-28
REFLOW_BG-BD-1	Reflow soldering profile	Other type	2026-02-10
SOT363	Plastic surface-mounted package; 6 leads	Package information	2026-02-16
SOT363_115	TSSOP6; Reel pack for SMD, 7"; Q2/T3 product orientation	Packing information	2020-06-12
SOT363_125	TSSOP6 ; Reel pack for SMD, 7"; Q3/T4 product orientation	Packing information	2020-04-21
SOT363_135	Reel pack for SMD, 11", Q2/T3 product orientation	Packing information	2026-05-13
SOT363_165	TSSOP6 ; Reel pack for SMD, 11"; Q3/T4 product orientation	Packing information	2024-01-24
MAR_SOT363	MAR_SOT363 Topmark	Top marking	2013-06-03
WAVE_BG-BD-1	Wave soldering profile	Wave soldering	2021-09-08

采用此封装的产品

Automotive qualified products (AEC-Q100/Q101)

型号	描述	快速访问
2N7002AKS-Q	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
2N7002HS	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BAS70-07S-Q	General-purpose dual Schottky diode	参数类型样品
BAT74S-Q	Schottky barrier dual diode	参数类型样品
BSS138AKS-Q	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS138BKS	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS138PS	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS84AKS	50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
PMBT3906YS-Q	40 V, 200 mA PNP/PNP general-purpose double transistor	参数类型样品
PUMZ1-Q	NPN/PNP general purpose transistor	参数类型样品
NX3008PBKS	30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
2N7002BKS	60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX3008CBKS	30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX3020NAKS-Q	30 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NHUMB2	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD3-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD13-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD12-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH11-Q	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
PUMB19	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = open	参数类型样品
NHUMB10-Q	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB11	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH2-Q	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB13-Q	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB9-Q	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD2-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH1-Q	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD10-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH9-Q	80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors	参数类型样品
NHUMH13-Q	80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors	参数类型样品
NHUMH10-Q	80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors	参数类型样品
NHUMD9-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
PMBT4403YS	40V, 600 mA double PNP switching transistor	参数类型样品
PESD5V0L5UY	Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode array	参数类型样品
PUMB14	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = open	参数类型样品
BAW101S-Q	High voltage double diode	参数类型样品

Bipolar transistors

型号	描述	快速访问
PBLS4002Y-Q	40 V PNP loadswitch transistor	参数类型样品
PBLS4004Y	40 V PNP BISS loadswitch	参数类型样品
PMBT3906YS-Q	40 V, 200 mA PNP/PNP general-purpose double transistor	参数类型样品
PUMZ1-Q	NPN/PNP general purpose transistor	参数类型样品
NHUMB2	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD3-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD13-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD12-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH11-Q	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
PUMB19	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = open	参数类型样品
NHUMB10-Q	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB11	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH2-Q	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB13-Q	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB9-Q	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD2-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH1-Q	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD10-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH9-Q	80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors	参数类型样品
NHUMH13-Q	80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors	参数类型样品
NHUMH10-Q	80 V, 100 mA NPN resistor-equipped transistors	参数类型样品
NHUMD9-Q	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
PMBT4403YS	40V, 600 mA double PNP switching transistor	参数类型样品
NHUMB9	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH11	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH1	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD10	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD2	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD3	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD12	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMB13	80 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH10	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor	参数类型样品
NHUMH9	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor	参数类型样品
NHUMH13	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor	参数类型样品
NHUMD13	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMD9	80 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistors	参数类型样品
NHUMH2	80 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistors	参数类型样品
PUMB14	PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = open	参数类型样品
PMBT2907AYS	60V, 600 mA, double PNP switching transistor	参数类型样品
PMBT3946YPN	40 V, 200 mA NPN/PNP general-purpose double transistor	参数类型样品

Diodes

型号	描述	快速访问
BAS70-07S-Q	General-purpose dual Schottky diode	参数类型样品
BAT74S-Q	Schottky barrier dual diode	参数类型样品
BAW101S-Q	High voltage double diode	参数类型样品

ESD protection, TVS, filtering and signal conditioning

型号	描述	快速访问
PESD5V0L5UY	Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode array	参数类型样品

MOSFETs

型号	描述	快速访问
2N7002AKS-Q	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
2N7002HS	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS138AKS-Q	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS138BKS	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS138PS	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
BSS84AKS	50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX5020UNBKS	50 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX6008NBKS	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX138AKS	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX7002BKS	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX138BKS	60 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
PMG85XP	20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
PMGD175XNE	30 V, Dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX3008PBKS	30 V, 200 mA dual P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
2N7002BKS	60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX3008CBKS	30 / 30 V, 350 / 200 mA N/P-channel Trench MOSFET	参数类型样品
NX3020NAKS-Q	30 V, dual N-channel Trench MOSFET	参数类型样品

双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

SiC power devices

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

SOT363

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