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74LVC2G126GM

Dual bus buffer/line driver; 3-state

74LVC2G126是带3态输出的双路非反相缓冲器/线路驱动器。每个3态输出通过输出使能输入(引脚nOE)控制。针脚nOE处的低电平使输出呈高阻抗关断状态。所有输入处的施密特触发器动作使电路高度容许较慢的输入上升和下降时间。

输入可通过3.3 V或5 V器件进行驱动。该特性允许在混合3.3 V和5 V环境中将74LVC2G126用作转换器。

其完全适合使用IOFF的局部掉电应用。IOFF电路可禁用输出,防止掉电时破坏性回流电流通过该器件。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围
  • 5 V容压输入/输出,可实现与5 V逻辑的接合
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC标准:
    • JESD8-7(1.65 V至1.95 V)
    • JESD8-5(2.3 V至2.7 V)
    • JESD8-B/JESD36(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114F超过2000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
  • ±24 mA输出驱动(VCC = 3.0 V)
  • CMOS低功耗
  • 闭锁性能超过250 mA
  • 具有TTL电平的直接接口
  • 输入可接受高达5 V的电压
  • 多种封装选择
  • 额定温度范围为–40 °C至+85 °C和–40 °C至+125 °C

参数类型

型号 Product status Package name
74LVC2G126GM End of life XQFN8

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74LVC2G126GM 74LVC2G126GM,115
(935277232115)
Obsolete no package information
74LVC2G126GM,125
(935277232125)
Obsolete

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74LVC2G126GM 74LVC2G126GM,115 74LVC2G126GM rohs rhf rhf
74LVC2G126GM 74LVC2G126GM,125 74LVC2G126GM rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (5)

文件名称 标题 类型 日期
74LVC2G126 Dual bus buffer/line driver; 3-state Data sheet 2023-08-17
AN10161 PicoGate Logic footprints Application note 2002-10-29
AN11009 Pin FMEA for LVC family Application note 2019-01-09
lvc2g126 74LVC2G126 IBIS model IBIS model 2015-01-15
Nexperia_Selection_guide_2023 Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
lvc2g126 74LVC2G126 IBIS model IBIS model 2015-01-15

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.