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BUK7107-40ATC

N-channel TrenchPLUS standard level FET

标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用TrenchMOS技术。这些器件包括用于钳位和温度感测的TrenchPLUS二极管。该产品设计符合相应AEC标准,适用于汽车电子关键型应用。

该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 符合AEC-Q101汽车标准
  • 集成了温度传感器,可以实现温度监控
  • 低导通电阻,因而导通损耗很小

Applications

  • 电动助力转向(EPAS)
  • 发动机的可变气门正时

参数类型

型号 Package version Package name Product status Channel type Nr of transistors VDS [max] (V) RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) ID [max] (A) QGD [typ] (nC) Ptot [max] (W) Automotive qualified Release date
BUK7107-40ATC SOT426 D2PAK End of life N 1 40 7 75 42 272 Y 2010-10-13

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
BUK7107-40ATC BUK7107-40ATC,118
(934057269118)
Obsolete BUK7107 40ATC P**XXYY AZ Batch no. no package information

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
BUK7107-40ATC BUK7107-40ATC,118 BUK7107-40ATC rohs rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (12)

文件名称 标题 类型 日期
BUK7107-40ATC N-channel TrenchPLUS standard level FET Data sheet 2009-02-08
AN10273 Power MOSFET single-shot and repetitive avalanche ruggedness rating Application note 2022-06-20
AN10874_ZH LFPAK MOSFET thermal design guide, Chinese version Application note 2020-04-30
AN11113_ZH LFPAK MOSFET thermal design guide - Part 2 Application note 2020-04-30
AN11156 Using Power MOSFET Zth Curves Application note 2021-01-04
AN11158 Understanding power MOSFET data sheet parameters Application note 2020-07-06
AN11158_ZH Understanding power MOSFET data sheet parameters Application note 2021-01-04
AN11160 Designing RC Snubbers Application note 2023-02-03
AN11243 Failure signature of Electrical Overstress on Power MOSFETs Application note 2017-12-21
AN11261 RC Thermal Models Application note 2021-03-18
AN11599 Using power MOSFETs in parallel Application note 2016-07-13
TN00008 Power MOSFET frequently asked questions and answers Technical note 2023-01-12

支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。

模型

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How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.