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74AHC377D

Octal D-type flip-flop with data enable; positive-edge trigger

74AHC377;74AHCT377是高速硅栅CMOS器件并且与低功耗肖特基TTL(LSTTL)引脚兼容。它符合JEDEC标准No. 7-A。

74AHC377;74AHCT377具有带单独D输入和Q输出的八个边沿触发D类触发器。数据使能输入(E)为低电平时,通用时钟输入(CP)会同时加载所有触发器。在时钟从低到高转换前的某个建立时间,每个D输入状态都会被传输到相应的触发器输出(Qn)。仅在时钟从低到高转换前的某个建立时间,E输入需要保持稳定,以进行可预测操作。

对于和74AHC377有关的版本;74AHCT377,请参见以下内容:

  • 有关主复位版本,请参见74AHC273;74AHCT273
  • 有关透明锁存器版本,请参见74AHC273;74AHCT273
  • 有关三态版本,请参见74AHC374;74AHCT374
该产品已停产。参见单击此处了解停产信息和替代产品。

Features and benefits

  • 平衡的传输延迟
  • 所有输入具有施密特触发器动作
  • 输入接受高于VCC的电压
  • 非常适合于可寻址寄存器应用
  • 用于地址和数据同步的数据使能
  • 八个正沿触发D类触发器
  • 输入电平:
    • 对于74AHC377:CMOS电平
    • 对于74AHCT377:TTL电平
  • ESD保护:
    • HBM EIA/JESD22-A114E超过2000 V
    • MM EIA/JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM EIA/JESD22-C101C超过1000 V
  • 多个封装选项
  • 指定温度范围为-40℃至+85℃以及-40℃至+125℃

参数类型

型号 Product status VCC (V) Logic switching levels Output drive capability (mA) tpd (ns) fmax (MHz) Power dissipation considerations Tamb (°C) Rth(j-a) (K/W) Ψth(j-top) (K/W) Rth(j-c) (K/W) Package name
74AHC377D End of life 2.0 - 5.5 CMOS ± 8 3.9 175 low -40~125 85 27.4 61 SO20

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

封装

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号,(订购码(12NC)) 状态 标示 封装 外形图 回流焊/波峰焊 包装
74AHC377D 74AHC377D,112
(935267994112)
Obsolete no package information
74AHC377D,118
(935267994118)
Obsolete

环境信息

下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。

型号 可订购的器件编号 化学成分 RoHS RHF指示符
74AHC377D 74AHC377D,112 74AHC377D rohs rhf rhf
74AHC377D 74AHC377D,118 74AHC377D rohs rhf rhf
品质及可靠性免责声明

文档 (3)

文件名称 标题 类型 日期
74AHC_AHCT377 Octal D-type flip-flop with data enable; positive-edge trigger Data sheet 2017-07-20
AN11106 Pin FMEA for AHC/AHCT family Application note 2019-01-09
ahc377 ahc377 IBIS model IBIS model 2013-04-07

支持

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模型

文件名称 标题 类型 日期
ahc377 ahc377 IBIS model IBIS model 2013-04-07

PCB Symbol, Footprint and 3D Model

Model Name 描述

How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.