种类繁多的双极晶体管助您轻松满足系统需求。产品线涵盖基础双极晶体管模块，以及一系列节省空间和成本的带电阻晶体管，直至我们突破性的小信号系列低压降电压器件。
我们丰富的二极管产品组合为您提供当今市场所需的灵活性——无论是简单的齐纳二极管、高效的肖特基整流器、快速恢复二极管还是可控雪崩开关二极管。
涵盖静电放电保护、瞬态电压抑制器件、共模扼流圈及电磁干扰滤波器，Nexperia的保护技术持续升级，在业界最小封装中提供最高级别的防护。
Nexperia提供种类丰富的低/中压（12-200 V）P沟道和N沟道硅MOSFET产品组合，采用多种节省空间且高效的封装方案。
Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定义了安全、稳健且可靠的电源开关标准，成为电动汽车充电基础设施、光伏逆变器及电机驱动领域的首选产品。
针对各类高压（650 V）和低压（40-150 V）应用场景，Nexperia氮化镓场效应晶体管凭借更低的导通损耗与开关损耗，实现了最快速的过渡/开关能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。
为满足高效高压电源转换和电机驱动日益增长的需求，Nexperia的IGBT采用坚固且经济高效的载流子存储沟槽栅极（CSTBT）先进场截止（FS）结构。
除全面的逻辑功能、模拟开关和I²C接口产品组合外，Nexperia还提供日益丰富的功率IC产品线，助力打造创新解决方案，专注于降低客户物料清单成本，提升系统效率与可靠性。
为助力实现互联电动及混合动力车辆，Nexperia半导体提供全系列符合AEC-Q100/Q101认证的器件，涵盖我们完整的产品组合，这些产品兼具高效能与高效设计特性。
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Nexperia’s high-power medium-voltage (80 V to 200 V) GaN platform is engineered for the demanding, high-power applications driving the future of power conversion. Combining ultra-low RDS(on), low QG and QOSS, and high-frequency switching, these devices deliver exceptional efficiency, power density and dynamic performance. Available in advanced QFN packages with top- and bottom-side cooling, they support high current levels with excellent thermal performance. Ideal for AI datacenters, industrial systems, robotics, energy and motor drives, they enable lower losses, faster response and more compact, scalable power designs for next-generation high-power systems.
| 型号 | 描述 | 状态 | 快速访问 |
|---|---|---|---|
| GANE1R8-100QBA | 100 V, 1.8 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN) | Production | |
| GANE3R9-150QBA | 150 V, 3.9 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.0 mm x 6.0 mm Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead Package (VQFN) | Production |