30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET
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| SKU | 库存* | MOQ | 单位价格** | 数量 |
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** 显示的单位价格是基于小量订单
*** 授权经销商销售的库存过剩、到期和停产产品由经销商保证产品的可靠性，不再由安世半导体保证
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特性
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- ESD protection
- Low threshold voltage
目标应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- Low-side load switch
- Switching circuits
参数类型
| 型号 | Package version | Package name | Product status | Channel type | Nr of transistors | VDS [max] (V) | VGS [max] (V) | RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) | RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ) | RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ) | integrated gate-source ESD protection diodes | Tj [max] (°C) | ID [max] (A) | QGD [typ] (nC) | QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC) | Ptot [max] (W) | VGSth [typ] (V) | Automotive qualified | Ciss [typ] (pF) | Coss [typ] (pF) | Date |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX3020NAKT NRND | SOT416 | SC-75 | End of life | N | 1 | 30 | 20 | 4500 | 5200 | 13000 | Y | 150 | 0.18 | 0.06 | 0.34 | 0.23 | 1.2 | N | 13 | 2.6 | 2012-08-17 |
PCB Symbol, Footprint and 3D Model
| Model Name | 描述 |
|---|---|
Package
下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。
| 型号 | 可订购的器件编号，（订购码(12NC)） | 状态 | 标示 | 封装 | 尺寸版本 | 回流焊/波峰焊 | 包装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX3020NAKT NRND | NX3020NAKT,115 ( 9340 670 69115 ) | Withdrawn / End-of-life | VB |  SC-75 (SOT416) | SOT416 | SOT416_115 |
停产信息
| 型号 | 可订购的器件编号 | Ordering code | 最后一次购买日期 | 最后一次交货日期 | 替代产品 | 状态 | 备注 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX3020NAKT NRND | NX3020NAKT,115 | 934067069115 | PMZ600UNE |
环境信息
下表中的所有产品型号已停产。参见表 停产信息 了解更多信息。
| 型号 | 可订购的器件编号 | 化学成分 | RoHS | RHF指示符 |
|---|---|---|---|---|
| NX3020NAKT NRND | NX3020NAKT,115 | 暂无信息 |  |   |
文档 (9)
| 文件名称 | 标题 | 类型 | 日期 |
|---|---|---|---|
| NX3020NAKT | 30 V, 180 mA N-channel Trench MOSFET | Data sheet | 2013-10-29 |
| AN10273 | Power MOSFET single-shot and repetitive avalanche ruggedness rating | Application note | 2022-06-20 |
| AN11243 | Failure signature of Electrical Overstress on Power MOSFETs | Application note | 2017-12-21 |
| AN11261 | RC Thermal Models | Application note | 2021-03-18 |
| AN11599 | Using power MOSFETs in parallel | Application note | 2016-07-13 |
| AN10874_ZH | LFPAK MOSFET thermal design guide, Chinese version | Application note | 2020-04-30 |
| AN11113_ZH | LFPAK MOSFET thermal design guide - Part 2 | Application note | 2020-04-30 |
| TN00008 | Power MOSFET frequently asked questions and answers | Technical note | 2023-01-12 |
| SOT416_115 | Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 115 | Packing information | 2012-11-22 |
支持
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PCB Symbol, Footprint and 3D Model
| Model Name | 描述 |
|---|---|
How does it work?
The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.