Nexperia bietet jetzt automotive-qualifizierte 1200 V SiC MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse an

Nexperia bringt heute eine Produktreihe besonders effizienter und robuster Siliziumkarbid (SiC) MOSFETs mit AEC-Q101-Qualifikation heraus. Die Bauteile mit R_DS(on)-Werten von 30, 40 und 60 mΩ (NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q) bieten eine branchenführende Temperaturstabilität. Sie waren zuvor bereits in Industriequalität erhältlich und wurden nun für den Einsatz im Automobilbereich zertifiziert. Damit eignen sie sich ideal für Anwendungen wie Onboard-Ladegeräte (OBC) und Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (EV) sowie für DC-DC-Wandler und Klima- und Heizsysteme (HVAC). Die Bauteile sind im beliebten oberflächenmontierbaren D²PAK-7-Gehäuse untergebracht, das sich im Vergleich zu Bauteilen in Durchstecktechnik (THT) besser für automatisierte Fertigungsprozesse eignet.

Der R_DS(on)-Wert ist aufgrund seiner Auswirkungen auf Durchlassverluste ein effizienzbestimmender Parameter. Der Nennwert allein vernachlässigt jedoch, dass der Einschaltwiderstand mit steigender Betriebstemperatur um mehr als 100 % ansteigen kann – mit entsprechend höheren Leitungsverlusten. Die Temperaturstabilität ist insbesondere bei SMD-Gehäusen kritisch, da die Kühlung über die Leiterplatte erfolgt – anders als bei THT-Technologie. Nexperia hat diesen Umstand als limitierenden Faktor erkannt und gezielt mit innovativer Prozesstechnologie gezielt eine branchenführende Temperaturstabilität erreicht. So steigt der R_DS(on)-Wert bei den neuen SiC MOSFETs über den gesamten Temperaturbereich von 25 °C bis 175 °C lediglich um 38 %. Diese Eigenschaft ermöglicht es Kunden, höhere Ausgangsleistungen mit einem größeren Nennwert bei 25 °C zu erzielen – und das ohne Leistungseinbußen im Vergleich zu Wettbewerbsprodukten.

„Dank dieser Eigenschaft lässt sich mit den SiC MOSFETs von Nexperia eine höhere Leistung erzielen als mit vergleichbaren Bauteilen anderer Anbieter – und das bei klarem Kostenvorteil auf Produktebene“, erklärt Edoardo Merli, SVP und Leiter der Business Group Wide Bandgap, IGBT & Modules (WIM). „Hinzu kommen reduzierte Anforderungen an das Kühlsystem, kompaktere passive Bauteile und höhere Effizienz – all das bietet Kunden mehr Freiheiten im Design und senkt die Systemkosten. Wir freuen uns besonders, dass diese Produkte nun für den Automotive-Markt verfügbar sind, wo ihre Leistungsvorteile in der nächsten Fahrzeuggeneration wirklich etwas bewegen können.“

Nexperia plant im Laufe des Jahres 2025 die Einführung weiterer automobilqualifizierter SiC MOSFETs mit RDS(on)-Werten von 17 mΩ und 80 mΩ.

Weitere Informationen zu den Siliziumkarbid-MOSFETs von Nexperia finden Sie unter: www.nexperia.com/sic-mosfets

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