双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

新闻稿

新闻稿

Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT
  • 新闻稿
八月 28, 2024

Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT

满足行业对采用更现代封装的功率双极结型晶体管的需求

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Nexperia 产展功率器件产品产合,新增产准和产产产理想二极管
  • 新闻稿
八月 22, 2024

Nexperia 产展功率器件产品产合,新增产准和产产产理想二极管

奈梅亨,2024 年 8 月 22 日:Nexperia 宣布业其持业业展的功率器件业品业合新增业款理想二极管 IC。其中,NID5100 适用 于业准工业和消业业用,而 ...

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Nexperia’s response to news that semiconductors are found in Russian military equipment
  • Press statement
八月 13, 2024

Nexperia’s response to news that semiconductors are ...

Nexperia strongly condemns the illegal invasion of Ukraine by Russia. We comply with ...

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Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性
  • 新闻稿
八月 07, 2024

Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性

针对开关应用中的低RDSon、低尖峰和高效率进行了优化

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Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse
  • 新闻稿
七月 25, 2024

Nexperia为其功率器件产品组合添加了具有出色限流精度的新型大电流eFuse

集成自动复位低电阻FET,降低工作功耗 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B电子保险丝(eFuse),进一步扩充其不断发展的功率器 ...

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Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装,具备高效率和高可靠性
  • 新闻稿
七月 10, 2024

Nexperia的650 V两种超快速恢复整流二极管采用D2PAK真双引脚封装,具备高效率和高可靠性

封装配置使整流二极管符合更高的爬电距离和电气间隙标准

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 Nexperia to Invest 200 Million USD in Hamburg
  • 新闻稿
六月 27, 2024

Nexperia to Invest 200 Million USD in Hamburg

Semiconductor manufacturer Nexperia today announced plans to invest USD 200 million (appx. 184 ...

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Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求
  • 新闻稿
六月 11, 2024

Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求

Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q),并采用真双引脚(R2P) DPAK ...

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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
  • 新闻稿
五月 21, 2024

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装

1200 V器件采用SMD-7封装,性能领先同类产品

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Nexperia公布2023年财务业绩
  • 新闻稿
五月 06, 2024

Nexperia公布2023年财务业绩

战略投资和持续进展为未来增长铺平道路

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