种类繁多的双极晶体管助您轻松满足系统需求。产品线涵盖基础双极晶体管模块，以及一系列节省空间和成本的带电阻晶体管，直至我们突破性的小信号系列低压降电压器件。
我们丰富的二极管产品组合为您提供当今市场所需的灵活性——无论是简单的齐纳二极管、高效的肖特基整流器、快速恢复二极管还是可控雪崩开关二极管。
涵盖静电放电保护、瞬态电压抑制器件、共模扼流圈及电磁干扰滤波器，Nexperia的保护技术持续升级，在业界最小封装中提供最高级别的防护。
Nexperia提供种类丰富的低/中压（12-200 V）P沟道和N沟道硅MOSFET产品组合，采用多种节省空间且高效的封装方案。
Nexperia的1200V碳化硅（SiC）MOSFET重新定义了安全、稳健且可靠的电源开关标准，成为电动汽车充电基础设施、光伏逆变器及电机驱动领域的首选产品。
针对各类高压（650 V）和低压（40-150 V）应用场景，Nexperia氮化镓场效应晶体管凭借更低的导通损耗与开关损耗，实现了最快速的过渡/开关能力、最佳的功率效率以及更高的功率密度。
为满足高效高压电源转换和电机驱动日益增长的需求，Nexperia的IGBT采用坚固且经济高效的载流子存储沟槽栅极（CSTBT）先进场截止（FS）结构。
除全面的逻辑功能、模拟开关和I²C接口产品组合外，Nexperia还提供日益丰富的功率IC产品线，助力打造创新解决方案，专注于降低客户物料清单成本，提升系统效率与可靠性。
为助力实现互联电动及混合动力车辆，Nexperia半导体提供全系列符合AEC-Q100/Q101认证的器件，涵盖我们完整的产品组合，这些产品兼具高效能与高效设计特性。
我们的ISO 14001证书涵盖奈梅亨（Nijmegen）、汉堡（Hamburg）、曼彻斯特（Manchester）、卡布尧（Cabuyao）和芙蓉（Seremban）五个基地。
Nexperia致力于满足所有适用的法律要求和客户期望。我们制造过程中使用的所有化学品必须符合《Nexperia限制类工艺化学品清单》（NDS-00132）中规定的标准。为确保用于产品中的材料不超过规定的有害物质限值，Nexperia制定了《产品和包装有害物质控制标准》（NDS-00005）。
来料的环境合规性通过《材料申报表》（NEX-ECO-MDF）进行验证，而《产品和包装中的受控物质清单》（NDS-00989）则就 NDS-00005 所涵盖的物质提供了详细指导。产品和包装中的相关限值通过符合《Nexperia产品和包装中有害物质测试要求》（NDS-00045）的第三方分析测试报告加以确认。