Nexperia宣布推出RDS(on) MOSFET,采用LFPAK56和LFPAK33封装且不会影响关键参数

三月 21, 2019

奈梅亨 -- 同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷

Nexperia, 分立器件、逻辑器件和MOSFET器件全球领导者,今日宣布采用Trench 11技术实现具有史上最低RDS(on)的NextPower S3 MOSFET,该项突破并不影响其他重要参数,例如漏极电流(ID(max))、安全工作区域(SOA)或栅极电荷QG。

很多应用均需要超低RDS(on),例如ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制与电池保护等,以便降低I²R损耗并提高效率。然而,具备类似RDS(on)值的一些同类器件,由于缩小晶圆单元间隔,其SOA(评估MOSFET的耐受性)和ID(max))额定电流需要降额。Nexperia的PSMNR58-30YLH MOSFET的最大RDS(on)仅0.67 mΩ,最大额定漏极电流提升至380A。该参数对电机控制应用尤为重要,因为电机堵转的瞬间会产生超大电涌,MOSFET必须可以承受这些电涌,才能确保安全可靠运行。一些竞争对手仅提供计算出的ID(max),但Nexperia产品实测持续电流能力高达380A,并且100%最终生产测试的持续电流值高达190A。

该器件支持LFPAK56 (Power-SO8)和LFPAK33 (Power33)封装,二者均采用独特的铜夹结构,可吸收热应力,提升质量和可靠性。PSMNR58-30YLH采用LFPAK56封装,这是Nexperia的4引脚Power-SO8封装,安装尺寸仅30 mm2,间距1.27 mm。

Nexperia的Power MOSFET产品经理Steven Waterhouse表示:“Nexperia结合其独有的NextPowerS3超结技术与LFPAK 封装,提供了具有低RDS(on)、高ID(max)额定电流的MOSFET,同时不影响其SOA等级、质量和可靠性。这使新器件充分满足要求高性能、高可靠性和高容错性的应用需求。”其中包括无刷直流(BLDC)电机控制(全桥式三相拓扑)、ORing服务器电源、热插拔操作和同步整流、电池保护、手机快速充电和直流负荷开关。

如需有关新款低RDS(on) MOSFET的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html

关于Nexperia

Nexperia(原恩智浦标准产品事业部)是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商。公司于2017年初开始独立运营。Nexperia注重效率,生产稳定可靠的半导体器件,年产量高达900亿件。我们广泛的产品系列符合汽车行业的严苛标准。Nexperia工厂生产的微型封装业内领先,不仅具有较高的功率与热效率,还提供同类最佳的品质。
五十多年来,Nexperia一直为全球各地的大型公司提供优质产品,并在亚洲、欧洲和美国拥有11,000名员工,公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了ISO 9001、IATF 16949、ISO 14001和OHSAS 18001认证。

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