NexperiaMOSFET为热交换设计提供最佳安全操作区和改进的导通阻抗RDS(on)

十月 08, 2018

奈梅亨 -- 确保同时满足对保护功能和运行效率的要求

Nexperia分立器件、逻辑器件和MOSFET器件的全球领导者,今天推出了其NextPower Live线性模式 MOSFET系列的最新产品PSMN3R7-100BSE,提供强大的安全操作区(SOA)和较低RDS(on)的最佳组合,非常适合热插拔、软启动和电子熔断器应用。将具有高SOA的MOSFET与热插拔控制器结合使用,旨在管理交换服务器主机板或其他插拔式系统时可能出现的高浪涌电流,或确保顺利启动处理器板。前几代器件已经在SOA与RDS(on)之间进行了取舍,而新技术在不影响RDS(on)的情况下实现了SOA最大化,从而保持了较高的操作效率水平。

Nexperia的新型PSMN3R7-100BSE MOSFET改善了SOA,与标准技术相比,其线性模式性能提高了四倍,最大RDS(on)仅为3.95mΩ(典型值为3.36mΩ),比以前的器件内阻约低18%。这些N沟道100V器件采用D2PAK封装,结温为175 OC。此外,这些器件与所有领先制造商的热交换控制器完全兼容。

Nexperia的产品经理Mike Becker表示:“服务器和通信基础设施公司正在将越来越强大的处理能力集中于叶片和基于机架的系统中,不断推高电源需求。可靠的热交换操作对于管理启动过程中遇到的浪涌电流至关重要,但随着功率水平和效率要求的提高,低RDS(on)也变得越来越重要。Nexperia的NextPower Live MOSFET提供了强SOA和低RDS(on)的标准组合,允许工程师设计超坚固的热插拔解决方案来管理浪涌电流,而较低的RDS(on)可以提供最高水平的效率。”

有关新型PSMN3R7-100BSE NextPower Live线性模式MOSFET的更多信息,包括产品规格和数据手册,请访问https://www.nexperia.com/products/mosfets/power-mosfets/PSMN3R7-100BSE.html

关于Nexperia

Nexperia(原恩智浦标准产品事业部)是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商,公司于2017年初开始独立运营。Nexperia注重效率,生产稳定可靠的半导体器件,年产量高达900亿件。我们广泛的产品系列符合汽车行业的严苛标准。Nexperia工厂生产的微型封装业内领先,不仅具有较高的功率与热效率,还提供同类最佳的品质。
五十多年来,Nexperia一直为全球各地的大型公司提供优质产品,并在亚洲、欧洲和美国拥有11,000名员工,公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001认证。

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