Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性,能够节省空间
  • 新闻稿
五月 27, 2020

Nexperia的锗化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、热稳定性,能够节省空间

符合AEC-Q101标准的120 V、150 V和200 V设备兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性

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Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装
  • 新闻稿
五月 07, 2020

Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固LFPAK56封装

符合AEC-Q101标准,适合汽车应用

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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)
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四月 22, 2020

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)

采用易于使用的封装,适用于可穿戴设备和大批量应用

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安世半导体CEO Frans Scheper退休 张学政就任安世半导体CEO
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三月 24, 2020

安世半导体CEO Frans Scheper退休 张学政就任安世半导体CEO

2020年3月24日,Nexperia对外宣布,Nexperia首席执行官Frans ...

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Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件
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三月 10, 2020

Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性

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Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计
  • 新闻稿
二月 25, 2020

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件

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