双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

新闻和活动

Nexperia boosts wide-bandgap portfolio with 1200 V SiC Schottky diodes for power-intense infrastructure
七月 10, 2025

Nexperia boosts wide-bandgap portfolio with 1200 V ...

Enable high efficiency power conversion in energy-intensive AI server farms

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Nexperia率先推出适用于48V电动汽车通信网络的ESD保护二极管
七月 02, 2025

Nexperia率先推出适用于48V电动汽车通信网络的ESD保护二极管

新产品可节省空间、降低成本，凭借超低器件电容，即便在更高数据速率下也能维持信号完整性

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Nexperia公布2024年稳健业绩，在市场逆风下推动可持续创新
  • 新闻稿
五月 15, 2025

Nexperia公布2024年稳健业绩，在市场逆风下推动可持续创新

安世半导体今日公布了2024财年财务业绩。在宏观经济持续不确定和市场周期性疲软的背景下，公司展现出强大的抗风险能力，通过强化执行力和坚持创新投入，实现了营收稳定并保持盈利。Nexperia在2 ...

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Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装的车规级1200 V碳化硅MOSFET
  • 新闻稿
五月 06, 2025

Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装的车规级1200 V碳化硅MOSFET

奈梅亨——符合AEC-Q101标准的SMD器件，兼具出色的热稳定性与便捷的装配特性

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Nexperia推出车规级平面肖特基二极管，采用节省空间的CFP2-HP封装
  • 新闻稿
四月 29, 2025

Nexperia推出车规级平面肖特基二极管，采用节省空间的CFP2-HP封装

在保持小尺寸的同时，提供出色的散热性能

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哈佛中国论坛灼见丨安世半导体董事长张学政出席，以全球化视野共话AI时代新机遇
  • 新闻稿
四月 11, 2025

哈佛中国论坛灼见丨安世半导体董事长张学政出席，以全球化视野共话AI时代新机遇

4月4日至6日，第28届哈佛大学中国论坛成功举办。安世半导体董事长兼CEO张学政受邀出席，并在“智能时代的变革与未来”分论坛上发表精彩观点，与行业领袖共同探讨全球化、技术迭代与社会责任等议题， ...

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