新闻稿

Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率

为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。

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Nexperia扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列

现可提供具备高效开关和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封装

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Nexperia joins United Nations Global Compact Initiative

Nexperia joins United Nations Global Compact Initiative

Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为

无需人工计算，参数可随用户输入动态响应

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Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商

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Nexperia公布2022年营收数据

2022年营收业绩显示，产品和人员方面的大量投资为企业创造了更多收入

Nexperia推出先进的I2C GPIO扩展器产品组合

采用创新的可配置上拉电阻和引脚兼容封装

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Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率

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Nexperia推出能源采集PMIC，以加速开发环境友好型能源自主式低功耗器件

电容式DC-DC转换器有助于节省高达90%的BOM成本

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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚 ...

RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用

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