双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保护系列, 可提供业界最高的浪涌抗扰度和最低的触发电压

Nexperia推出全新用于Type-C型USB的ESD保护系列, 可提供业界最高的浪涌抗扰度和最低的触发电压

七月 05, 2018

奈梅亨 -- 针对新型系统保护配置而优化了USB3.2 SuperSpeed的全新解决方案

全球分立器件、逻辑器件和MOSFET器件领导者Nexperia今日宣布,已优化其用于Type-C型USB接口的TrEOS ESD保护二极管系列。新的USB3.2标准在Rx输入端引用了一个可选电容器,因此Nexperia现在推出了两组器件:一组器件在连接器和电容器之间提供极高的浪涌抗扰度,另一组器件则具有极低的触发电压,用于放置在电容器和系统芯片之间。

Nexperia的TrEOS ESD保护技术采用有源硅控整流器,可实现极低电容(低至0.1pF)、极低的钳位(动态电阻低至0.1 Ω)以及非常高的浪涌和ESD脉冲抗扰度(对于非常快速的数据线,最高可达20A 8/20µs)的最佳组合。接通时间也非常快,约为0.5ns,器件可承受高达30kV的接触放电,超过IEC 61000-4-2标准4级水平。在8/20 IEC61000-4-5标准下,保护装置放置于电容器之前的TrEOS应用器件目前可用于业界领先的峰值脉冲电流额定值9.5、15和20A。在电容器之后使用的TrEOS器件同样具有业界领先的性能,具有低至4.3V的最低触发电压(Vt1)。这些特性也适用于Type-A型USB和MicroUSB接口。

Nexperia产品经理Stefan Seider表示:“Type-C型USB和USB供电提供的选项非常具有吸引力:为确保最终用户可以享受高达20Gbps的数据速度和高达100W的充电速度,Nexperia提供了两种TrEOS保护系列,可支持围绕新型USB3.2 Rx电容的每一种保护策略,用于防止敏感收发器遭受可能的故障条件影响。”

TrEOS保护二极管采用广泛使用的0603规格进行封装。DSN0603-2 (SOD962-2)封装非常紧凑且稳健,其优点是没有封装接线,可消除另一种故障模式,并产生最低的电感,以实现最快的保护。该封装非常适合移动和计算应用此外还有其他节省空间的封装。Nexperia提供了全面的参数化USB保护搜索指南(点击此处),以帮助设计人员为其系统配置选择最佳器件。

如需更多有关NexperiaTrEOS ESD保护器件的信息,请点击此处

关于Nexperia

Nexperia(原恩智浦标准产品事业部)是全球领先的分立式器件、逻辑器件与MOSFET器件的专业制造商,公司于2017年初开始独立运营。Nexperia注重效率,生产稳定可靠的半导体器件,年产量高达900亿件。我们广泛的产品系列符合汽车行业的严苛标准。Nexperia工厂生产的微型封装业内领先,不仅具有较高的功率与热效率,还提供同类最佳的品质。

五十多年来,Nexperia一直为全球各地的大型公司提供优质产品,并在亚洲、欧洲和美国拥有11,000名员工,公司拥有庞大的知识产权组合,并获得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001认证。

Nexperia:效率致胜。

如需媒体信息,请联系:

Nexperia 机构:BWW通信

Petra Beekmans,宣传与品牌部门主管
电话:+31 6 137 111 41
电子邮件:petra.beekmans@nexperia.com

Nick Foot,总监
+44-1491-636393
Nick.foot@bwwcomms.com