安世半导体CEO Frans Scheper退休 张学政就任安世半导体CEO
  • 新闻稿
三月 24, 2020

安世半导体CEO Frans Scheper退休 张学政就任安世半导体CEO

2020年3月24日,Nexperia对外宣布,Nexperia首席执行官Frans ...

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Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件
  • 新闻稿
三月 10, 2020

Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

TrEOS二极管完全支持USB4TM标准;具有低钳位、低电容、低泄露特性,极高的鲁棒性

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Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计
  • 新闻稿
二月 25, 2020

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

领先的汽车咨询公司在技术演示器中采用Nexperia已获AEC-Q101认证的GaN FET器件

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Nexperia 针对汽车以太网推出具有开创性 并且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件
  • 新闻稿
二月 11, 2020

Nexperia 针对汽车以太网推出具有开创性 并且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ...

分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia,今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN ...

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安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能
  • 新闻稿
新的所有权将为 Nexperia 带来新机遇
  • 新闻稿
十二月 24, 2019

新的所有权将为 Nexperia 带来新机遇

闻泰取得了 Nexperia 的控股权

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Nexperia 针对超高速 USB推出了支持业界最高传输速度 集成 ESD 保护的共模滤波器
  • 新闻稿
十二月 03, 2019

Nexperia 针对超高速 USB推出了支持业界最高传输速度 集成 ESD 保护的共模滤波器

最高的差分带宽;高浪涌鲁棒性和低钳位

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Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)
  • 新闻稿
十一月 19, 2019

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

成熟耐用的工艺、产能可扩展、可批量应用

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MJD 双极晶体管(高达 8 A)丰富了 Nexperia 功率产品系列
  • 新闻稿
十月 16, 2019

MJD 双极晶体管(高达 8 A)丰富了 Nexperia 功率产品系列

符合 AEC-Q101 标准的高质量、高可靠性元件

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Nexperia获得 15 亿美元的融资,为未来的增长计划提供资金
  • 新闻稿
九月 05, 2019

Nexperia获得 15 亿美元的融资,为未来的增长计划提供资金

领先的分立半导体公司再次融资获得业界全力支持

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