新闻稿

Nexperia首创交互式数据手册，助力工程师随时随地分析MOSFET行为

无需人工计算，参数可随用户输入动态响应

• 读取：
• German

Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商

• 读取：
• German
• Korean
• Japanese

Nexperia公布2022年营收数据

2022年营收业绩显示，产品和人员方面的大量投资为企业创造了更多收入

Nexperia推出先进的I2C GPIO扩展器产品组合

采用创新的可配置上拉电阻和引脚兼容封装

• 读取：
• Japanese
• Korean
• German

Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率

• 读取：
• Japanese
• Korean
• German

Nexperia推出能源采集PMIC，以加速开发环境友好型能源自主式低功耗器件

电容式DC-DC转换器有助于节省高达90%的BOM成本

• 读取：
• German
• Japanese
• Korean

Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚 ...

RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用

• 读取：
• German

Nexperia推出适用于24 V电源系统的车载网络ESD保护产品组合

各种封装、电容等级和36 V VRWM为商用车辆应用提供了设计灵活性

• 读取：
• German
• Korean
• Japanese

Nexperia’s response to news that semiconductors are ...

Nexperia strongly condemns the illegal invasion of Ukraine by Russia. We comply with ...

Nexperia宣布面向高速数据线的TrEOS系列ESD保护器件再添两款新产品

PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压，为敏感系统的保护提供了一种高效的解决方案